GaNエピタキシャル成長温度測定 UV400/UVR400
- 放射温度計
- 低・中温用：5～1300℃
- GaN膜
製品名
GaNエピタキシャル成長温度測定
型番
UV400/UVR400
GaNエピタキシャル成長温度測定 UV400/UVR400は、GaNバッファーレイヤー成長及びMQW成長の温度測定が可能です。
製品紹介
用 途
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- GaN膜温度測定
- 反射率測定
特 長
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- サファイアウェハー上に成長するGaNエピタキシャル層の温度測定
- 従来のNIR測定におけるウェハーポケット温度測定に代わりにUV光（400nm）を使用し、GaNの温度測定をします。
- GaNバッファーレイヤー成長及びMQW成長の温度測定が可能です。
- 高い温度精度により、LED発光波長のコントロールができます。
- 高感度のPMT（光電子増倍管）を使用しているので、良好なS/Nと安定性を保ちます。
- NIR測定に見られる光の干渉がありません。
- 測定時間：8msec/20msec/100msec から選択
- 測定面までの距離：73mm固定
- デジタル（RS485）及びアナログ出力
仕 様
| 温度範囲 | UV400 | 650 ～ 1150℃ |
|---|---|---|
| UVR400 | 温度: 650 ～ 1150℃ | |
| 反射率測定: 0.000 ～ 1.000 | ||
| 検出波長 | UV400 | 中心波長: 400nm |
| 半値幅: 50nm | ||
| UVR400 | 温度/中心波長: 400nm 半値幅: 50nm | |
| 反射率測定/中心波長: 635nm 半値幅: 2nm（又は10%） |
基本システム構成図
