基礎知識

放射温度計の各製品の比較

目的別索引

温度帯別
低温用：-40 ～ 900℃　　　低・中温用：5～1300℃　　　中・高温用：150～3000℃　　　高温用：600～3500℃
機能別
2色（レシオ）型放射温度計　　　光ファイバー放射温度計　　　超高速応答測定　　　携帯型
用途別
火炎越し温度測定　　　燃焼ガス温度測定　　　溶湯（出湯・保持温度）温度　　　高周波誘導加熱用　　　レーザー溶接 レーザー加工用　　　ガラス製造用（溶解炉、フォーハース、ゴブ温度）　　　ガラス表面温度　　　アルミ温度測定　　　フィルム温度　　　シリコンウェハー測定   半導体製造装置向けPhotriX　　　ランプ加熱制御　　　サファイアガラス　　　GaN膜
熱画像
窓越し熱画像　　　火炎越し熱画像　　　ガラス表面熱画像　　　金属・セラミックス熱画像　　　一般熱画像　　　燃焼イメージングシステム




低温用：-40 ～ 900℃

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
5 IN5+ -32 ～ 900℃ 8 ～ 14μm サーモパイル 80ms φ2/100mm 0.6% 又は 1℃
IN5-H+ -32 ～ 900℃ 8 ～ 14μm サーモパイル 10ms φ2/100mm 0.6% 又は 1.5℃
IN5-L+ 0 ～ 900℃ 8 ～ 14μm サーモパイル 180ms φ1.1/100mm 0.6% 又は 2℃
28 IN510/520 -40 ～ 700℃ 8 ～ 14μm サーモパイル 180ms φ5/50mm 0.8% 又は 1℃




低・中温用：5～1300℃

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
19 IPE140 5 ～ 500℃ 3 ～ 5μm PbSe 1.5ms φ1.6/71mm 0.4% + 1℃
30 ～ 1000℃ 3 ～ 5μm PbSe 1.5ms φ1.1/105mm 0.4% + 1℃
50 ～ 1200℃ 3 ～ 5μm PbSe 1.5ms φ0.9/105mm 0.4% + 1℃
4 IGA6/23
IGA6/23-TV		 50 ～ 1000℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 500μs φ4.2/210mm 0.3% + 1℃
75 ～ 1300℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 500μs φ2.1/210mm 0.3% + 1℃
13 IGA320/23 75 ～ 550℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 2ms φ5/250mm 2℃ ＜ 400℃
0.3% + 1℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃
0.5% ＞ 1500℃
100 ～ 700℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 2ms φ2.5/250mm
45 IGA140/23 50 ～ 700℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 1.5ms φ1.7/105mm 2℃ ＜ 400℃
0.3% + 2℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃
0.5% ＞ 1500℃
75 ～ 900℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 1.5ms φ1.1/105mm
100 ～ 1300℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 1.5ms φ0.8/105mm




中・高温用：150～3000℃

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
4 IGA6/23
IGA6/23-TV		 150 ～ 1800℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 500μs φ0.6/210mm 0.3% + 2℃ ＜ 1500℃
0.6% ＞ 1500℃
13 IGA320/23 150 ～ 1200℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 2ms φ1.6/250mm 2℃ ＜ 400℃
0.3% + 1℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃
0.5% ＞ 1500℃
200 ～ 1800℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 2ms φ1.6/250mm
45 IGA140/23 150 ～ 1800℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 1.5ms φ0.5/105mm 2℃ ＜ 400℃
0.3% + 2℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃
0.5% ＞ 1500℃
1 IGA6
IGA6-TV		 250 ～ 1800℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 120μs φ0.6/210mm 0.3% + 2℃ ＜ 1500℃
0.6% ＞ 1500℃
250 ～ 2500℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 120μs
12 IGA320 300 ～ 1300℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 2ms φ2/250mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5℃ ＞ 1500℃
350 ～ 1650℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 2ms φ3.2/600mm
400 ～ 1800℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 2ms φ1.2/250mm
18 IGA140 220 ～ 1150℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms φ0.35/130mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
300 ～ 1300℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
350 ～ 1800℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
450 ～ 2500℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
250 ～ 1350℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
300 ～ 2000℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
350 ～ 2500℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
300 ～ 3000℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
9 IGA12
IGA12-S
（スキャナ可）		 250 ～ 1000℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms φ1.3/279mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
250 ～ 1400℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms φ0.9/279mm
300 ～ 1300℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms φ0.9/279mm
350 ～ 1800℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms φ0.5/279mm
400 ～ 2300℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms φ0.4/279mm




高温用：600～3500℃

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
1 IS6
IS6-TV		 600 ～ 1800℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 120μs φ0.6/210mm 0.3% + 2℃ ＜ 1500℃
0.6% ＞ 1500℃
600 ～ 3000℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 120μs
12 IS320 550 ～ 1400℃ 0.8 ～ 1.1μm Si 2ms φ3/250mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5℃ ＞ 1500℃
600 ～ 1600℃ 0.8 ～ 1.1μm Si 2ms φ2/250mm
650 ～ 1800℃ 0.8 ～ 1.1μm Si 2ms φ1.3/250mm
18 IS140 550 ～ 1400℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms φ0.35/130mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5% ℃ ＞ 1500℃
550 ～ 1800℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
600 ～ 1600℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
650 ～ 1800℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
750 ～ 2500℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
900 ～ 3300℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
18 IS140/67 1100 ～ 3500℃ 0.676μm Si 1ms φ0.35/130mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5% ＞ 1500℃
IS140/55 1000 ～ 2000℃ 0.55μm Si 1ms φ0.35/130mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5% ＞ 1500℃
9 IS12
IS12-S
（スキャナ可）		 550 ～ 1400℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms φ0.9/80mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
550 ～ 2000℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms φ0.3/80mm
600 ～ 1600℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms φ0.3/80mm
650 ～ 1800℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms φ0.3/80mm
700 ～ 3500℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms φ0.1/80mm
750 ～ 2500℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms φ0.1/80mm




2色（レシオ）型放射温度計

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
44 IGAR6 単色 100 ～ 2000℃ 1.5 ～ 2.5μm InGaAs 2ms φ2.1/210mm 0.4% + 2℃ ＜ 1500℃
0.8% ＞ 1500℃
IGAR6 2色 250 ～ 2000℃ 1.5 ～ 1.6/2.0 ～ 2.5（2色）μm InGaAs 2ms φ2.1/210mm
2 ISR6 Advanced 600 ～ 1400℃ 0.9/1.05（2色）μm Si 2ms φ2.1/210mm 0.3% + 2℃ ＜ 1500℃
0.6% ＞ 1500℃
700 ～ 1800℃ 2ms φ1.1/210mm
800 ～ 2500℃ 2ms φ0.7/210mm
1000 ～ 3000℃ 2ms φ0.7/210mm
3 ISR6-Ti Advanced 700 ～ 1800℃ 0.9/1.05（2色）μm Si 2ms φ1.1/210mm 0.5% + 2℃ ＜ 1500℃
1% ＞ 1500℃
同上 熱画像表示 25Hz 6° X 4.5°
15 IGAR320 300 ～ 1300℃ 1.5 ～ 1.6/2.0 ～ 2.5（2色）μm InGaAs 10ms φ30/300mm 0.6% + 2℃
ISR320 700 ～ 1700℃ 0.9/1.05（2色）μm Si 10ms φ30/300mm 0.5% + 1℃ ＜ 1300℃
1% ＞ 1300℃
33 IGAR12-LO 300 ～ 1000℃ 1.52/1.64（2色）μm InGaAs 2ms φ0.8/88mm 0.5% + 1℃ ＜ 1500℃
0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
350 ～ 1300℃ 1.28/1.65（2色）μm 2ms φ0.45/88mm
450 ～ 1700℃ 2ms
500 ～ 2200℃ 2ms
550 ～ 2500℃ 2ms
600 ～ 3300℃ 2ms
ISR12-LO 600 ～ 1300℃ 0.8/1.05（2色）μm Si 2ms φ0.8/88mm 0.4% + 1℃ ＜ 1500℃
0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
750 ～ 1800℃ 2ms φ0.45/88mm
900 ～ 2500℃ 2ms
1000 ～ 3300℃ 2ms
1000 ～ 3500℃ 2ms




光ファイバー放射温度計

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
14 IGA320/23-LO 85 〜 600℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 2ms φ1.2/88mm 2℃ ＜ 400℃
0.3% + 1℃ ＞ 400℃
100 ～ 700℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 2ms φ0.8/88mm
150 ～ 1200℃ 2 ～ 2.6μm InGaAs 2ms φ0.5/88mm
37 IGA50-LO 300 ～ 1300℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms φ0.45/88mm 0.3% +1℃ ＜ 1500℃
0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
350 ～ 1800℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
450 ～ 2500℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
250 ～ 1350℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
300 ～ 2000℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
350 ～ 2500℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
IS50-LO 550 ～ 1400℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms φ0.45/88mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
600 ～ 1600℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
650 ～ 1800℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
750 ～ 2500℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
900 ～ 3300℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
550 ～ 1800℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
40 IS50/67-LO 1100 ～ 3500℃ 0.67μm Si 1ms φ0.45/88mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
IS50/55-LO 1000 ～ 2300℃ 0.55μm Si 1ms φ0.45/88mm  
33 IGAR12-LO 300 ～ 1000℃ 1.52/1.64（2色）μm InGaAs 2ms φ0.8/88mm 0.5% + 1℃ ＜ 1500℃
0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
350 ～ 1300℃ 1.28/1.65（2色）μm 2ms φ0.45/88mm
450 ～ 1700℃ 2ms
500 ～ 2200℃ 2ms
550 ～ 2500℃ 2ms
600 ～ 3300℃ 2ms
ISR12-LO 600 ～ 1300℃ 0.8/1.05（2色）μm Si 2ms φ0.8/88mm 0.4% + 1℃ ＜ 1500℃
0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
750 ～ 1800℃ 2ms φ0.45/88mm
900 ～ 2500℃ 2ms
1000 ～ 3300℃ 2ms
1000 ～ 3500℃ 2ms
36 IS50-LO/GL 600 ～ 1800℃ 0.8 ～ 1.1μm Si 250ms φ9/300mm 0.3% + 1℃ ＜1500℃
0.5% + 1℃ ＞1500℃




超高速応答測定

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
24 IGA740 160 ～ 1000℃ 1.58 ～ 2.2μm InGaAs 6μs φ0.7/288mm 0.75%
300 ～ 1400℃ 1.58 ～ 1.8μm
300 ～ 2300℃ 2 ～ 2.2μm
500 ～ 2500℃ 1.58 ～ 1.8μm
IGA740-LO
光ファイバー		 200 ～ 1000℃ 1.58 ～ 2.2μm InGaAs 6μs φ1/70mm 0.75%
300 ～ 1400℃ 1.58 ～ 1.8μm
300 ～ 2300℃ 2 ～ 2.2μm
400 ～ 2500℃ 1.58～1.8μm
25 IMGA740 160 ～ 1000℃ 1.58 ～ 2.2μm InGaAs 10μs φ2.5/450mm 0.75%
300 ～ 1400℃ 1.58 ～ 1.8μm
300 ～ 2300℃ 1.58 ～ 2.2μm
500 ～ 2500℃ 1.58 ～ 1.8μm
350 ～ 3500℃ 2 ～ 2.5μm
IMGA740-LO
光ファイバー		 200 ～ 1000℃ 1.58 ～ 2.2μm InGaAs 10μs φ1/70mm 0.75%
300 ～ 1400℃ 1.58 ～ 1.8μm
300 ～ 2300℃ 1.58 ～ 2.2μm
500 ～ 2500℃ 1.58 ～ 1.8μm
400 ～ 3000℃ 2 ～ 2.5μm
350 ～ 3500℃ 2 ～ 2.5μm




携帯型

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
16 IGA8 pro 250 ～ 1600℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms φ2.2/500mm 0.4% + 1℃
280 ～ 2000℃ φ1.6/500mm
IS8 pro 600 ～ 1800℃ 0.78 ～ 1.1μm Si 1ms φ1.6/500mm 0.4% + 1℃
750 ～ 2500℃ φ1/500mm
IS8-GS pro 1000 ～ 2000℃ 0.55μm Si 500ms φ2.8/500mm 0.4% + 1℃




火炎越し温度測定

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
21 IPE140/39 20 ～ 700℃ 3.9μm PbSe 1.5ms φ2.4/105mm 2.5℃ ＜ 400℃
0.4% + 1℃ ＞ 400℃
75 ～ 1200℃ φ0.9/105mm
300 ～ 1450℃ φ0.7/105mm
500 ～ 1800℃ φ0.7/105mm




燃焼ガス温度測定

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
22 IPE140/45 400 ～ 2000℃ 燃焼ガス吸収帯 CO2特定波長 1.5ms φ1.1/115mm 0.6% ＜ 1300℃
0.8% ＞ 1300℃




溶湯（出湯・保持温度）温度

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
16 IS8-GS pro 1000 ～ 2000℃ 0.55μm Si 500ms φ2.8/500mm 0.4% + 1℃
40 IS50/67-LO 1100 ～ 3500℃ 0.67μm Si 1ms φ0.45/88mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
IS50/55-LO 1000 ～ 2300℃ 0.55μm Si 1ms φ0.45/88mm
46 ISR12-LO/GS 750 ～ 1800℃ 0.8/1.05（2色温度計）μm Si 2ms 17ｘ1.6/340mm
41ｘ1.6/340mm		 0.4% + 1℃ ＜ 1500℃
0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
900 ～ 2500℃ Si 2ms




高周波誘導加熱用

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
33 IGAR12-LO 300 ～ 1000℃ 1.52/1.64（2色）μm InGaAs 2ms φ0.8/88mm 0.5% + 1℃ ＜ 1500℃
0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
350 ～ 1300℃ 1.28/1.65（2色）μm 2ms φ0.45/88mm
450 ～ 1700℃ 2ms
500 ～ 2200℃ 2ms
550 ～ 2500℃ 2ms
600 ～ 3300℃ 2ms
ISR12-LO 600 ～ 1300℃ 0.8/1.05（2色）μm Si 2ms φ0.8/88mm 0.4% + 1℃ ＜ 1500℃
0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
750 ～ 1800℃ 2ms φ0.45/88mm
900 ～ 2500℃ 2ms
1000 ～ 3300℃ 2ms
1000 ～ 3500℃ 2ms
37 IGA50-LO 300 ～ 1300℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms φ0.45/88mm 0.3% +1℃ ＜ 1500℃
0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
350 ～ 1800℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
450 ～ 2500℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
250 ～ 1350℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
300 ～ 2000℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
350 ～ 2500℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms
IS50-LO 550 ～ 1400℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms φ0.45/88mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
600 ～ 1600℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
650 ～ 1800℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
750 ～ 2500℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
900 ～ 3300℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms
550 ～ 1800℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 1ms




レーザー溶接 レーザー加工用

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
44 IGAR6 単色 100 ～ 2000℃ 1.5 ～ 2.5μm InGaAs 2ms φ2.1/210mm 0.4% + 2℃ ＜ 1500℃
0.8% ＞ 1500℃
IGAR6 2色 250 ～ 2000℃ 1.5 ～ 1.6/2.0 ～ 2.5（2色）μm InGaAs 2ms φ2.1/210mm
33 IGAR12-LO 300 ～ 1000℃ 1.52/1.64（2色）μm InGaAs 2ms φ0.8/88mm 0.5% + 1℃ ＜ 1500℃
0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
350 ～ 1300℃ 1.28/1.65（2色）μm 2ms φ0.45/88mm
450 ～ 1700℃ 2ms
500 ～ 2200℃ 2ms
550 ～ 2500℃ 2ms
600 ～ 3300℃ 2ms
ISR12-LO 600 ～ 1300℃ 0.8/1.05（2色）μm Si 2ms φ0.8/88mm 0.4% + 1℃ ＜ 1500℃
0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
750 ～ 1800℃ 2ms φ0.45/88mm
900 ～ 2500℃ 2ms
1000 ～ 3300℃ 2ms
1000 ～ 3500℃ 2ms
24 IGA740 160 ～ 1000℃ 1.58 ～ 2.2μm InGaAs 6μs φ0.7/288mm 0.75%
300 ～ 1400℃ 1.58 ～ 1.8μm
300 ～ 2300℃ 2 ～ 2.2μm
500 ～ 2500℃ 1.58 ～ 1.8μm
IGA740-LO
光ファイバー		 200 ～ 1000℃ 1.58 ～ 2.2μm InGaAs 6μs φ1/70mm 0.75%
300 ～ 1400℃ 1.58 ～ 1.8μm
300 ～ 2300℃ 2 ～ 2.2μm
400 ～ 2500℃ 1.58～1.8μm
1 IGA6
IGA6-TV		 250 ～ 1800℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 120μs φ0.6/210mm 0.3% + 2℃ ＜ 1500℃
0.6% ＞ 1500℃
250 ～ 2500℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 120μs
IS6
IS6-TV		 600 ～ 1800℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 120μs φ0.6/210mm 0.3% + 2℃ ＜ 1500℃
0.6% ＞ 1500℃
600 ～ 3000℃ 0.7 ～ 1.1μm Si 120μs




ガラス製造用（溶解炉、フォーハース、ゴブ温度）

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
36 IS50-LO/GL 600 ～ 1800℃ 0.8 ～ 1.1μm Si 250ms φ9/300mm 0.3% + 1℃ ＜1500℃
0.5% + 1℃ ＞1500℃
2 ISR6 Advanced 600 ～ 1400℃ 0.9/1.05（2色）μm Si 2ms φ2.1/210mm 0.3% + 2℃ ＜ 1500℃
0.6% ＞ 1500℃
700 ～ 1800℃ 2ms φ1.1/210mm
800 ～ 2500℃ 2ms φ0.7/210mm
1000 ～ 3000℃ 2ms φ0.7/210mm
16 IGA8 pro 250 ～ 1600℃ 1.45 ～ 1.8μm InGaAs 1ms φ2.2/500mm 0.4% + 1℃
280 ～ 2000℃ φ1.6/500mm
IS8 pro 600 ～ 1800℃ 0.78 ～ 1.1μm Si 1ms φ1.6/500mm 0.4% + 1℃
750 ～ 2500℃ φ1/500mm




ガラス表面温度

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
6 IN5/5+ 100 ～ 1300℃ 5.14μm サーモパイル 80ms φ2.5/100mm 06% 又は 2℃ ＜ 1300℃
0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃
1% ＞ 1800℃
400 ～ 2500℃
IN5/5-H+ 200 ～ 1300℃ 5.14μm サーモパイル 10ms φ2.5/100mm
400 ～ 2500℃
IN5/5-L+ 200 ～ 1300℃ 5.14μm サーモパイル 80ms φ1.1/105mm 08% 又は 3℃ ＜ 1300℃
0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃
1.2% ＞ 1800℃
400 ～ 2500℃
35 IN140/5 250 ～ 1400℃ 5.14μm サーモパイル 40ms φ1.3/100mm 0.6% + 2℃ ＜ 1300℃
0.8% ＞ 1300℃
300 ～ 1600℃
450 ～ 1500℃ φ1/100mm
500 ～ 2500℃
IN140/5-H 250 ～ 1400℃ 5.14μm サーモパイル 10ms φ1.3/100mm 0.6% + 2℃ ＜ 1300℃
0.8% ＞ 1300℃
300 ～ 1600℃
450 ～ 1500℃ φ1/100mm
500 ～ 2500℃
IN140/5-L 250 ～ 1400℃ 5.14μm サーモパイル 40ms φ1.3/159mm 0.6% + 2℃ ＜ 1300℃
0.8% ＞ 1300℃
300 ～ 1600℃
450 ～ 1500℃ φ0.9/159mm
500 ～ 2500℃
8 極薄板専用
IN6/78-L		 400 ～ 1100℃ 7.8μm サーモパイル 80ms φ5/370mm 0.7% 又は 3℃
極薄板専用
IN6/78-H		 150 ～ 800℃ 7.8μm サーモパイル 35ms φ7/350mm 0.7% 又は 3℃




アルミ温度測定

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
10 IS12-AL 350 ～ 900℃ 近赤外狭波長 Si 8ms φ2.2/112mm 0.3% + 1℃
400 ～ 1050℃ 近赤外狭波長 Si 8ms φ2.2/112mm 0.3% + 1℃
39 IS50-AL-LO 400～1000℃ 近赤外狭波長 Si 1ms φ1.1/88mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5% + 1℃ ＞ 1500℃




フィルム温度

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
20 IPE140/34 50 ～ 400℃ 3.43μm PbSe 1.5ms φ3.3/110mm 2.5℃ ＜ 400℃
0.4% + 1℃ ＞ 400℃
75 ～ 500℃ 3.43μm PbSe 1.5ms φ2.1/110mm 2.5℃ ＜ 400℃
0.4% + 1℃ ＞ 400℃




シリコンウェハー測定

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
11 IS12-Si 350 ～ 1000℃ 0.9μm Si 10ms φ2.2/120mm 0.4% + 1℃
400 ～ 900℃ 0.9μm Si 10ms φ1.2/80mm 0.4% + 1℃
400 ～ 1300℃ 0.9μm Si 10ms φ2.3/275mm 0.4% + 1℃
500 ～ 1800℃ 0.9μm Si 10ms φ0.7/80mm 0.4% + 1℃
38 IS50-Si-LO 400 ～ 1300℃ 0.9μm Si 1ms φ0.8/110mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
500 ～ 1600℃ 0.9μm Si 1ms φ0.8/110mm 0.3% + 1℃ ＜ 1500℃
0.5% + 1℃ ＞ 1500℃




半導体製造装置向けPhotriX

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
42 レンズ型(LE)
ワイドレンジ、低温		 65 ～ 1000℃ 0.7 ～ 1.65μm Si+InGaAs 1ms φ1.5/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
135 ～ 2400℃ 0.7 ～ 1.65μm Si+InGaAs 1ms φ0.5/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
レンズ型(LE)
シリコンウェーハ専用		 270 ～ 2150℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ1.5/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
300 ～ 2600℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ0.7/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
レンズ型(LE)
金属表面型		 125 ～ 2600℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ0.7/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
180 ～ 2600℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ0.5/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
42 ライトパイプ型(LP)
ワイドレンジ、低温		 30 ～ 670℃ 0.7 ～ 1.65μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15％ 又は 0.15℃
ライトパイプ型(LP)
シリコンウェーハ専用		 220 ～ 1300℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15％ 又は 0.15℃
ライトパイプ型(LP)
金属表面型		 70 ～ 1100℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15％ 又は 0.15℃
42 レンズ+ファイバー延長型(LE-LO)
ワイドレンジ、低温		 65 ～ 1000℃ 0.7 ～ 1.65μm Si+InGaAs 1ms φ0.8/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
80 ～ 1300℃ 0.7 ～ 1.65μm Si+InGaAs 1ms φ1.3/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
115 ～ 2600℃ 0.7 ～ 1.65μm Si+InGaAs 1ms φ1.5/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
レンズ+ファイバー延長型(LE-LO)
シリコンウェーハ専用		 270 ～ 2150℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ0.4/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
290 ～ 2500℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ0.9/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
335 ～ 2600℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ1.5/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
レンズ+ファイバー延長型(LE-LO)
金属表面型		 125 ～ 2600℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ0.4/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
145 ～ 2600℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ0.9/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
160 ～ 2600℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ1.5/50mm 0.15％ 又は 0.15℃
42 ライトパイプ+ファイバー延長型(LP-LO)
ワイドレンジ、低温		 60 ～ 900℃ 0.7～1.65μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15％ 又は 0.15℃
65 ～ 950℃ 0.7～1.65μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15％ 又は 0.15℃
100 ～ 1400℃ 0.7～1.65μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15％ 又は 0.15℃
ライトパイプ+ファイバー延長型(LP-LO)
シリコンウェーハ専用		 240 ～ 1600℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15％ 又は 0.15℃
255 ～ 1900℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15％ 又は 0.15℃
290 ～ 2600℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15％ 又は 0.15℃
ライトパイプ+ファイバー延長型(LP-LO)
金属表面型		 100 ～ 1800℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15％ 又は 0.15℃
115 ～ 2400℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15％ 又は 0.15℃
155 ～ 2600℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15％ 又は 0.15℃




ランプ加熱制御

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
20 IPE140/34 100 ～ 1500℃ 3.43μm PbSe 1.5ms φ2.1/110mm 0.40%
6 IN5/5+ 100 ～ 1300℃ 5.14μm サーモパイル 80ms φ2.5/100mm 06% 又は 2℃ ＜ 1300℃
0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃
1% ＞ 1800℃
400 ～ 2500℃
IN5/5-H+ 200 ～ 1300℃ 5.14μm サーモパイル 10ms φ2.5/100mm
400 ～ 2500℃
IN5/5-L+ 200 ～ 1300℃ 5.14μm サーモパイル 80ms φ1.1/105mm 08% 又は 3℃ ＜ 1300℃
0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃
1.2% ＞ 1800℃
400 ～ 2500℃
35 IN140/5 250 ～ 1400℃ 5.14μm サーモパイル 40ms φ1.3/100mm 0.6% + 2℃ ＜ 1300℃
0.8% ＞ 1300℃
IN140/5-H 300 ～ 1600℃ 5.14μm サーモパイル 10ms
IN140/5-L 450 ～ 1500℃ 5.14μm サーモパイル 40ms φ0.9/159mm
500 ～ 2500℃




サファイアガラス

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
7 IN5/9+ 0 ～ 1500℃ 8 ～ 9.7μm サーモパイル 180ms φ1.7/95mm 0.60%




GaN膜

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
43 UV400 650 ～ 1300℃ 383 ～ 410nm PMT 8ms φ9.8/74mm <1000℃：3℃
＞1000℃：0.3％
UVR400 650 ～ 1300℃ 383 ～ 410nm PMT 8ms φ9.8/74mm <1000℃：3℃
＞1000℃：0.3％




窓越し熱画像

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 測定レート 測定画角（FOV） 精度 形状
101 MCS640/I1 600 ～ 1600℃ 0.85μm 非冷却2次元センサ 60Hz 3.5° x 2.6°
5.4° x 4.0°
10.8° x 8.1°
22.5° x 17.0°
33.3° x 25.3°		 0.5%
800 ～ 3000℃
MCS640/I5 600 ～ 1600℃ 0.78 ～ 1.08μm 60Hz 3.5° x 2.6°
5.4° x 4.0°
10.8° x 8.1°
22.5° x 17.0°
33.3° x 25.3°		 0.5%
800 ～ 3000℃
MCS640/M 1100 ～ 1600℃ 0.65μm 60Hz 8.4 x 8.4/113mm 0.5%




火炎越し熱画像

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 測定レート 測定画角（FOV） 精度 形状
102 MC320F 200 ～ 800℃ 3.9μm 非冷却平面アレイセンサ
マイクロボロメーター		 60Hz 21.6° x 16.3° 2%又は2℃
MC320FHT 400 ～ 1600℃ 3.9μm 60Hz 21.6° x 16.3° 2%又は2℃




ガラス表面熱画像

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 測定レート 測定画角（FOV） 精度 形状
102 MC320G 200 ～ 800℃ 4.8-5.2μm 非冷却平面アレイセンサ
マイクロボロメーター		 60Hz 21.6° x 16.3° 2%又は2℃
MC320GHT 400 ～ 1600℃ 4.8-5.2μm 60Hz 21.6° x 16.3° 2%又は2℃




金属・セラミックス熱画像

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 測定レート 測定画角（FOV） 精度 形状
102 MC320M 150 ～ 500℃ 3-5μm 非冷却平面アレイセンサ
マイクロボロメーター		 60Hz 21.6° x 16.3° 2%又は2℃
MC320M 200 ～ 800℃ 3-5μm 60H 21.6° x 16.3° 2%又は2℃
MC320MHT 400 ～ 1600℃ 3-5μm 60Hz 21.6° x 16.3° 2%又は2℃




一般熱画像

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 測定レート 測定画角（FOV） 精度 形状
106 MCL640L -40 ～ 120℃ 8-14μm 非冷却平面アレイセンサ
マイクロボロメーター		 50Hz 57.3° x 43°
24.5° x 18.4°
12.5° x 9.4°		 2%又は2℃
0 ～ 500℃
MCL640HT 200 ～ 1600℃ 8-14μm 50Hz 57.3° x 43°
24.5° x 18.4°
12.5° x 9.4°		 2%又は2℃




燃焼イメージングシステム

No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 測定レート 測定画角（FOV） 精度 形状
103 BoilerSpection 500 ～ 1600℃ 3.9μm 非冷却平面アレイセンサ
マイクロボロメーター		 60Hz 50° x 38°
75° x 56°		 2%又は2℃
104 FurnaceSpection 600 ～ 1800℃ 0.85μm 非冷却2次元センサ 60Hz 50° x 38° 0.5%
105 FEGT
炉出口ガス温度測定		 400 ～ 2000℃ CO2燃焼ガス吸収波長 PbSe 2ms 測定距離：1～8m 0.6% ＜ 1300℃
0.8% ＞1300℃

放射温度計・熱画像の製品一覧