基礎知識

放射温度計の各製品の比較

目的別索引

温度帯別

低温用：-40 ～ 900℃　　　低・中温用：5～1300℃　　　中・高温用：150～3000℃　　　高温用：600～3500℃

機能別

2色（レシオ）型放射温度計　　　光ファイバー放射温度計　　　超高速応答測定　　　携帯型

用途別

火炎越し温度測定　　　燃焼ガス温度測定　　　溶湯（出湯・保持温度）温度　　　高周波誘導加熱用　　　レーザー溶接レーザー加工用　　　ガラス製造用（溶解炉、フォーハース、ゴブ温度）　　　ガラス表面温度　　　アルミ温度測定　　　フィルム温度　　　シリコンウェハー測定半導体製造装置向けPhotriX　　　ランプ加熱制御　　　サファイアガラス　　　 GaN膜

熱画像

窓越し熱画像　　　火炎越し熱画像　　　ガラス表面熱画像　　　金属・セラミックス熱画像　　　一般熱画像　　　燃焼イメージングシステム

低温用：-40 ～ 900℃

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
5	IN5+	-32 ～ 900℃	8 ～ 14μm	サーモパイル	80ms	φ2/100mm	0.6% 又は 1℃
	IN5-H+	-32 ～ 900℃	8 ～ 14μm	サーモパイル	10ms	φ2/100mm	0.6% 又は 1.5℃
	IN5-L+	0 ～ 900℃	8 ～ 14μm	サーモパイル	180ms	φ1.1/100mm	0.6% 又は 2℃
28	IN510/520	-40 ～ 700℃	8 ～ 14μm	サーモパイル	180ms	φ5/50mm	0.8% 又は 1℃

低・中温用：5～1300℃

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
19	IPE140	5 ～ 500℃	3 ～ 5μm	PbSe	1.5ms	φ1.6/71mm	0.4% + 1℃
		30 ～ 1000℃	3 ～ 5μm	PbSe	1.5ms	φ1.1/105mm	0.4% + 1℃
		50 ～ 1200℃	3 ～ 5μm	PbSe	1.5ms	φ0.9/105mm	0.4% + 1℃
4	IGA6/23 IGA6/23-TV	50 ～ 1000℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	500μs	φ4.2/210mm	0.3% + 1℃
4	IGA6/23 IGA6/23-TV	75 ～ 1300℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	500μs	φ2.1/210mm	0.3% + 1℃
13	IGA320/23	75 ～ 550℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ5/250mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 1℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
13	IGA320/23	100 ～ 700℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ2.5/250mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 1℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
45	IGA140/23	50 ～ 700℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	1.5ms	φ1.7/105mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 2℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
		75 ～ 900℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	1.5ms	φ1.1/105mm
		100 ～ 1300℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	1.5ms	φ0.8/105mm

中・高温用：150～3000℃

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
4	IGA6/23 IGA6/23-TV	150 ～ 1800℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	500μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
13	IGA320/23	150 ～ 1200℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ1.6/250mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 1℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
13	IGA320/23	200 ～ 1800℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ1.6/250mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 1℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
45	IGA140/23	150 ～ 1800℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	1.5ms	φ0.5/105mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 2℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
1	IGA6 IGA6-TV	250 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
1	IGA6 IGA6-TV	250 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
12	IGA320	300 ～ 1300℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	2ms	φ2/250mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1650℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	2ms	φ3.2/600mm
		400 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	2ms	φ1.2/250mm
18	IGA140	220 ～ 1150℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.35/130mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		300 ～ 1300℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		350 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		450 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		250 ～ 1350℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		300 ～ 2000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		350 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		300 ～ 3000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
9	IGA12 IGA12-S （スキャナ可）	250 ～ 1000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ1.3/279mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		250 ～ 1400℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.9/279mm
		300 ～ 1300℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.9/279mm
		350 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.5/279mm
		400 ～ 2300℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.4/279mm

高温用：600～3500℃

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
1	IS6 IS6-TV	600 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
1	IS6 IS6-TV	600 ～ 3000℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
12	IS320	550 ～ 1400℃	0.8 ～ 1.1μm	Si	2ms	φ3/250mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5℃ ＞ 1500℃
		600 ～ 1600℃	0.8 ～ 1.1μm	Si	2ms	φ2/250mm
		650 ～ 1800℃	0.8 ～ 1.1μm	Si	2ms	φ1.3/250mm
18	IS140	550 ～ 1400℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.35/130mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% ℃ ＞ 1500℃
		550 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		600 ～ 1600℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		650 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		750 ～ 2500℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		900 ～ 3300℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
18	IS140/67	1100 ～ 3500℃	0.676μm	Si	1ms	φ0.35/130mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
18	IS140/55	1000 ～ 2000℃	0.55μm	Si	1ms	φ0.35/130mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
9	IS12 IS12-S （スキャナ可）	550 ～ 1400℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.9/80mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		550 ～ 2000℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.3/80mm
		600 ～ 1600℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.3/80mm
		650 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.3/80mm
		700 ～ 3500℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.1/80mm
		750 ～ 2500℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.1/80mm

2色（レシオ）型放射温度計

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
44	IGAR6 単色	100 ～ 2000℃	1.5 ～ 2.5μm	InGaAs	2ms	φ2.1/210mm	0.4% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.8% ＞ 1500℃
44	IGAR6 2色	250 ～ 2000℃	1.5 ～ 1.6/2.0 ～ 2.5（2色）μm	InGaAs	2ms	φ2.1/210mm	0.4% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.8% ＞ 1500℃
2	ISR6 Advanced	600 ～ 1400℃	0.9/1.05（2色）μm	Si	2ms	φ2.1/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
		700 ～ 1800℃			2ms	φ1.1/210mm
		800 ～ 2500℃			2ms	φ0.7/210mm
		1000 ～ 3000℃			2ms	φ0.7/210mm
3	ISR6-Ti Advanced	700 ～ 1800℃	0.9/1.05（2色）μm	Si	2ms	φ1.1/210mm	0.5% + 2℃ ＜ 1500℃ 1% ＞ 1500℃
3	同上熱画像表示	700 ～ 1800℃	0.9/1.05（2色）μm	Si	25Hz	6° X 4.5°	0.5% + 2℃ ＜ 1500℃ 1% ＞ 1500℃
15	IGAR320	300 ～ 1300℃	1.5 ～ 1.6/2.0 ～ 2.5（2色）μm	InGaAs	10ms	φ30/300mm	0.6% + 2℃
15	ISR320	700 ～ 1700℃	0.9/1.05（2色）μm	Si	10ms	φ30/300mm	0.5% + 1℃ ＜ 1300℃ 1% ＞ 1300℃
33	IGAR12-LO	300 ～ 1000℃	1.52/1.64（2色）μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm	0.5% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1300℃	1.28/1.65（2色）μm		2ms	φ0.45/88mm
		450 ～ 1700℃			2ms
		500 ～ 2200℃			2ms
		550 ～ 2500℃			2ms
		600 ～ 3300℃			2ms
	ISR12-LO	600 ～ 1300℃	0.8/1.05（2色）μm	Si	2ms	φ0.8/88mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
		750 ～ 1800℃			2ms	φ0.45/88mm
		900 ～ 2500℃			2ms
		1000 ～ 3300℃			2ms
		1000 ～ 3500℃			2ms

光ファイバー放射温度計

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
14	IGA320/23-LO	85 〜 600℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ1.2/88mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 1℃ ＞ 400℃
		100 ～ 700℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm
		150 ～ 1200℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ0.5/88mm
37	IGA50-LO	300 ～ 1300℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.45/88mm	0.3% +1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		450 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		250 ～ 1350℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		300 ～ 2000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		350 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
	IS50-LO	550 ～ 1400℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		600 ～ 1600℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		650 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		750 ～ 2500℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		900 ～ 3300℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		550 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
40	IS50/67-LO	1100 ～ 3500℃	0.67μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
40	IS50/55-LO	1000 ～ 2300℃	0.55μm	Si	1ms	φ0.45/88mm
33	IGAR12-LO	300 ～ 1000℃	1.52/1.64（2色）μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm	0.5% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1300℃	1.28/1.65（2色）μm		2ms	φ0.45/88mm
		450 ～ 1700℃			2ms
		500 ～ 2200℃			2ms
		550 ～ 2500℃			2ms
		600 ～ 3300℃			2ms
	ISR12-LO	600 ～ 1300℃	0.8/1.05（2色）μm	Si	2ms	φ0.8/88mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
		750 ～ 1800℃			2ms	φ0.45/88mm
		900 ～ 2500℃			2ms
		1000 ～ 3300℃			2ms
		1000 ～ 3500℃			2ms
36	IS50-LO/GL	600 ～ 1800℃	0.8 ～ 1.1μm	Si	250ms	φ9/300mm	0.3% + 1℃ ＜1500℃ 0.5% + 1℃ ＞1500℃

超高速応答測定

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
24	IGA740	160 ～ 1000℃	1.58 ～ 2.2μm	InGaAs	6μs	φ0.7/288mm	0.75%
		300 ～ 1400℃	1.58 ～ 1.8μm
		300 ～ 2300℃	2 ～ 2.2μm
		500 ～ 2500℃	1.58 ～ 1.8μm
	IGA740-LO 光ファイバー	200 ～ 1000℃	1.58 ～ 2.2μm	InGaAs	6μs	φ1/70mm	0.75%
		300 ～ 1400℃	1.58 ～ 1.8μm
		300 ～ 2300℃	2 ～ 2.2μm
		400 ～ 2500℃	1.58～1.8μm
25	IMGA740	160 ～ 1000℃	1.58 ～ 2.2μm	InGaAs	10μs	φ2.5/450mm	0.75%
		300 ～ 1400℃	1.58 ～ 1.8μm
		300 ～ 2300℃	1.58 ～ 2.2μm
		500 ～ 2500℃	1.58 ～ 1.8μm
		350 ～ 3500℃	2 ～ 2.5μm
	IMGA740-LO 光ファイバー	200 ～ 1000℃	1.58 ～ 2.2μm	InGaAs	10μs	φ1/70mm	0.75%
		300 ～ 1400℃	1.58 ～ 1.8μm
		300 ～ 2300℃	1.58 ～ 2.2μm
		500 ～ 2500℃	1.58 ～ 1.8μm
		400 ～ 3000℃	2 ～ 2.5μm
		350 ～ 3500℃	2 ～ 2.5μm

携帯型

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
16	IGA8 pro	250 ～ 1600℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ2.2/500mm	0.4% + 1℃
	IGA8 pro	280 ～ 2000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ1.6/500mm	0.4% + 1℃
	IS8 pro	600 ～ 1800℃	0.78 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ1.6/500mm	0.4% + 1℃
	IS8 pro	750 ～ 2500℃	0.78 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ1/500mm	0.4% + 1℃
	IS8-GS pro	1000 ～ 2000℃	0.55μm	Si	500ms	φ2.8/500mm	0.4% + 1℃

火炎越し温度測定

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
21	IPE140/39	20 ～ 700℃	3.9μm	PbSe	1.5ms	φ2.4/105mm	2.5℃ ＜ 400℃ 0.4% + 1℃ ＞ 400℃
		75 ～ 1200℃				φ0.9/105mm
		300 ～ 1450℃				φ0.7/105mm
		500 ～ 1800℃				φ0.7/105mm

燃焼ガス温度測定

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
22	IPE140/45	400 ～ 2000℃	燃焼ガス吸収帯	CO2特定波長	1.5ms	φ1.1/115mm	0.6% ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃

溶湯（出湯・保持温度）温度

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
16	IS8-GS pro	1000 ～ 2000℃	0.55μm	Si	500ms	φ2.8/500mm	0.4% + 1℃
40	IS50/67-LO	1100 ～ 3500℃	0.67μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
40	IS50/55-LO	1000 ～ 2300℃	0.55μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
46	ISR12-LO/GS	750 ～ 1800℃	0.8/1.05（2色温度計）μm	Si	2ms	17ｘ1.6/340mm 41ｘ1.6/340mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
46	ISR12-LO/GS	900 ～ 2500℃	0.8/1.05（2色温度計）μm	Si	2ms	17ｘ1.6/340mm 41ｘ1.6/340mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃

高周波誘導加熱用

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
33	IGAR12-LO	300 ～ 1000℃	1.52/1.64（2色）μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm	0.5% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1300℃	1.28/1.65（2色）μm		2ms	φ0.45/88mm
		450 ～ 1700℃			2ms
		500 ～ 2200℃			2ms
		550 ～ 2500℃			2ms
		600 ～ 3300℃			2ms
	ISR12-LO	600 ～ 1300℃	0.8/1.05（2色）μm	Si	2ms	φ0.8/88mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
		750 ～ 1800℃			2ms	φ0.45/88mm
		900 ～ 2500℃			2ms
		1000 ～ 3300℃			2ms
		1000 ～ 3500℃			2ms
37	IGA50-LO	300 ～ 1300℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.45/88mm	0.3% +1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		450 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		250 ～ 1350℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		300 ～ 2000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		350 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
	IS50-LO	550 ～ 1400℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		600 ～ 1600℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		650 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		750 ～ 2500℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		900 ～ 3300℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		550 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms

レーザー溶接レーザー加工用

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
44	IGAR6 単色	100 ～ 2000℃	1.5 ～ 2.5μm	InGaAs	2ms	φ2.1/210mm	0.4% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.8% ＞ 1500℃
44	IGAR6 2色	250 ～ 2000℃	1.5 ～ 1.6/2.0 ～ 2.5（2色）μm	InGaAs	2ms	φ2.1/210mm	0.4% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.8% ＞ 1500℃
33	IGAR12-LO	300 ～ 1000℃	1.52/1.64（2色）μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm	0.5% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1300℃	1.28/1.65（2色）μm		2ms	φ0.45/88mm
		450 ～ 1700℃			2ms
		500 ～ 2200℃			2ms
		550 ～ 2500℃			2ms
		600 ～ 3300℃			2ms
	ISR12-LO	600 ～ 1300℃	0.8/1.05（2色）μm	Si	2ms	φ0.8/88mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
		750 ～ 1800℃			2ms	φ0.45/88mm
		900 ～ 2500℃			2ms
		1000 ～ 3300℃			2ms
		1000 ～ 3500℃			2ms
24	IGA740	160 ～ 1000℃	1.58 ～ 2.2μm	InGaAs	6μs	φ0.7/288mm	0.75%
		300 ～ 1400℃	1.58 ～ 1.8μm
		300 ～ 2300℃	2 ～ 2.2μm
		500 ～ 2500℃	1.58 ～ 1.8μm
	IGA740-LO 光ファイバー	200 ～ 1000℃	1.58 ～ 2.2μm	InGaAs	6μs	φ1/70mm	0.75%
		300 ～ 1400℃	1.58 ～ 1.8μm
		300 ～ 2300℃	2 ～ 2.2μm
		400 ～ 2500℃	1.58～1.8μm
1	IGA6 IGA6-TV	250 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
	IGA6 IGA6-TV	250 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
	IS6 IS6-TV	600 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
	IS6 IS6-TV	600 ～ 3000℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃

ガラス製造用（溶解炉、フォーハース、ゴブ温度）

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
36	IS50-LO/GL	600 ～ 1800℃	0.8 ～ 1.1μm	Si	250ms	φ9/300mm	0.3% + 1℃ ＜1500℃ 0.5% + 1℃ ＞1500℃
2	ISR6 Advanced	600 ～ 1400℃	0.9/1.05（2色）μm	Si	2ms	φ2.1/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
		700 ～ 1800℃			2ms	φ1.1/210mm
		800 ～ 2500℃			2ms	φ0.7/210mm
		1000 ～ 3000℃			2ms	φ0.7/210mm
16	IGA8 pro	250 ～ 1600℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ2.2/500mm	0.4% + 1℃
	IGA8 pro	280 ～ 2000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ1.6/500mm	0.4% + 1℃
	IS8 pro	600 ～ 1800℃	0.78 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ1.6/500mm	0.4% + 1℃
	IS8 pro	750 ～ 2500℃	0.78 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ1/500mm	0.4% + 1℃

ガラス表面温度

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
6	IN5/5+	100 ～ 1300℃	5.14μm	サーモパイル	80ms	φ2.5/100mm	06% 又は 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃ 1% ＞ 1800℃
	IN5/5+	400 ～ 2500℃	5.14μm	サーモパイル	80ms	φ2.5/100mm
	IN5/5-H+	200 ～ 1300℃	5.14μm	サーモパイル	10ms	φ2.5/100mm
	IN5/5-H+	400 ～ 2500℃	5.14μm	サーモパイル	10ms	φ2.5/100mm
	IN5/5-L+	200 ～ 1300℃	5.14μm	サーモパイル	80ms	φ1.1/105mm	08% 又は 3℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃ 1.2% ＞ 1800℃
	IN5/5-L+	400 ～ 2500℃	5.14μm	サーモパイル	80ms	φ1.1/105mm	08% 又は 3℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃ 1.2% ＞ 1800℃
35	IN140/5	250 ～ 1400℃	5.14μm	サーモパイル	40ms	φ1.3/100mm	0.6% + 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃
		300 ～ 1600℃				φ1.3/100mm
		450 ～ 1500℃				φ1/100mm
		500 ～ 2500℃				φ1/100mm
	IN140/5-H	250 ～ 1400℃	5.14μm	サーモパイル	10ms	φ1.3/100mm	0.6% + 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃
		300 ～ 1600℃				φ1.3/100mm
		450 ～ 1500℃				φ1/100mm
		500 ～ 2500℃				φ1/100mm
	IN140/5-L	250 ～ 1400℃	5.14μm	サーモパイル	40ms	φ1.3/159mm	0.6% + 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃
		300 ～ 1600℃				φ1.3/159mm
		450 ～ 1500℃				φ0.9/159mm
		500 ～ 2500℃				φ0.9/159mm
8	極薄板専用 IN6/78-L	400 ～ 1100℃	7.8μm	サーモパイル	80ms	φ5/370mm	0.7% 又は 3℃
8	極薄板専用 IN6/78-H	150 ～ 800℃	7.8μm	サーモパイル	35ms	φ7/350mm	0.7% 又は 3℃

アルミ温度測定

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
10	IS12-AL	350 ～ 900℃	近赤外狭波長	Si	8ms	φ2.2/112mm	0.3% + 1℃
10	IS12-AL	400 ～ 1050℃	近赤外狭波長	Si	8ms	φ2.2/112mm	0.3% + 1℃
39	IS50-AL-LO	400～1000℃	近赤外狭波長	Si	1ms	φ1.1/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃

フィルム温度

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
20	IPE140/34	50 ～ 400℃	3.43μm	PbSe	1.5ms	φ3.3/110mm	2.5℃ ＜ 400℃ 0.4% + 1℃ ＞ 400℃
20	IPE140/34	75 ～ 500℃	3.43μm	PbSe	1.5ms	φ2.1/110mm	2.5℃ ＜ 400℃ 0.4% + 1℃ ＞ 400℃

シリコンウェハー測定

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
11	IS12-Si	350 ～ 1000℃	0.9μm	Si	10ms	φ2.2/120mm	0.4% + 1℃
		400 ～ 900℃	0.9μm	Si	10ms	φ1.2/80mm	0.4% + 1℃
		400 ～ 1300℃	0.9μm	Si	10ms	φ2.3/275mm	0.4% + 1℃
		500 ～ 1800℃	0.9μm	Si	10ms	φ0.7/80mm	0.4% + 1℃
38	IS50-Si-LO	400 ～ 1300℃	0.9μm	Si	1ms	φ0.8/110mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
38	IS50-Si-LO	500 ～ 1600℃	0.9μm	Si	1ms	φ0.8/110mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃

半導体製造装置向けPhotriX

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
42	レンズ型(LE) ワイドレンジ、低温	65 ～ 1000℃	0.7 ～ 1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50mm	0.15％又は 0.15℃
	レンズ型(LE) ワイドレンジ、低温	135 ～ 2400℃	0.7 ～ 1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.5/50mm	0.15％又は 0.15℃
	レンズ型(LE) シリコンウェーハ専用	270 ～ 2150℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50mm	0.15％又は 0.15℃
	レンズ型(LE) シリコンウェーハ専用	300 ～ 2600℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.7/50mm	0.15％又は 0.15℃
	レンズ型(LE) 金属表面型	125 ～ 2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.7/50mm	0.15％又は 0.15℃
	レンズ型(LE) 金属表面型	180 ～ 2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.5/50mm	0.15％又は 0.15℃
42	ライトパイプ型(LP) ワイドレンジ、低温	30 ～ 670℃	0.7 ～ 1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％又は 0.15℃
	ライトパイプ型(LP) シリコンウェーハ専用	220 ～ 1300℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％又は 0.15℃
	ライトパイプ型(LP) 金属表面型	70 ～ 1100℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％又は 0.15℃
42	レンズ+ファイバー延長型(LE-LO) ワイドレンジ、低温	65 ～ 1000℃	0.7 ～ 1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.8/50mm	0.15％又は 0.15℃
		80 ～ 1300℃	0.7 ～ 1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.3/50mm	0.15％又は 0.15℃
		115 ～ 2600℃	0.7 ～ 1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50mm	0.15％又は 0.15℃
	レンズ+ファイバー延長型(LE-LO) シリコンウェーハ専用	270 ～ 2150℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.4/50mm	0.15％又は 0.15℃
		290 ～ 2500℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.9/50mm	0.15％又は 0.15℃
		335 ～ 2600℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50mm	0.15％又は 0.15℃
	レンズ+ファイバー延長型(LE-LO) 金属表面型	125 ～ 2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.4/50mm	0.15％又は 0.15℃
		145 ～ 2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.9/50mm	0.15％又は 0.15℃
		160 ～ 2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50mm	0.15％又は 0.15℃
42	ライトパイプ+ファイバー延長型(LP-LO) ワイドレンジ、低温	60 ～ 900℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％又は 0.15℃
		65 ～ 950℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％又は 0.15℃
		100 ～ 1400℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％又は 0.15℃
	ライトパイプ+ファイバー延長型(LP-LO) シリコンウェーハ専用	240 ～ 1600℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％又は 0.15℃
		255 ～ 1900℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％又は 0.15℃
		290 ～ 2600℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％又は 0.15℃
	ライトパイプ+ファイバー延長型(LP-LO) 金属表面型	100 ～ 1800℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％又は 0.15℃
		115 ～ 2400℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％又は 0.15℃
		155 ～ 2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％又は 0.15℃

ランプ加熱制御

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度
20	IPE140/34	100 ～ 1500℃	3.43μm	PbSe	1.5ms	φ2.1/110mm	0.40%
6	IN5/5+	100 ～ 1300℃	5.14μm	サーモパイル	80ms	φ2.5/100mm	06% 又は 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃ 1% ＞ 1800℃
	IN5/5+	400 ～ 2500℃	5.14μm	サーモパイル	80ms	φ2.5/100mm
	IN5/5-H+	200 ～ 1300℃	5.14μm	サーモパイル	10ms	φ2.5/100mm
	IN5/5-H+	400 ～ 2500℃	5.14μm	サーモパイル	10ms	φ2.5/100mm
	IN5/5-L+	200 ～ 1300℃	5.14μm	サーモパイル	80ms	φ1.1/105mm	08% 又は 3℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃ 1.2% ＞ 1800℃
	IN5/5-L+	400 ～ 2500℃	5.14μm	サーモパイル	80ms	φ1.1/105mm	08% 又は 3℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃ 1.2% ＞ 1800℃
35	IN140/5	250 ～ 1400℃	5.14μm	サーモパイル	40ms	φ1.3/100mm	0.6% + 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃
	IN140/5-H	300 ～ 1600℃	5.14μm	サーモパイル	10ms	φ1.3/100mm
	IN140/5-L	450 ～ 1500℃	5.14μm	サーモパイル	40ms	φ0.9/159mm
	IN140/5-L	500 ～ 2500℃	5.14μm	サーモパイル	40ms	φ0.9/159mm

サファイアガラス

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
7	IN5/9+	0 ～ 1500℃	8 ～ 9.7μm	サーモパイル	180ms	φ1.7/95mm	0.60%

GaN膜

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
43	UV400	650 ～ 1300℃	383 ～ 410nm	PMT	8ms	φ9.8/74mm	<1000℃：3℃ ＞1000℃：0.3％
43	UVR400	650 ～ 1300℃	383 ～ 410nm	PMT	8ms	φ9.8/74mm	<1000℃：3℃ ＞1000℃：0.3％

窓越し熱画像

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	測定レート	測定画角（FOV）	精度
101	MCS640/I1	600 ～ 1600℃	0.85μm	非冷却2次元センサ	60Hz	3.5° x 2.6° 5.4° x 4.0° 10.8° x 8.1° 22.5° x 17.0° 33.3° x 25.3°	0.5%
	MCS640/I1	800 ～ 3000℃	0.85μm		60Hz		0.5%
	MCS640/I5	600 ～ 1600℃	0.78 ～ 1.08μm		60Hz	3.5° x 2.6° 5.4° x 4.0° 10.8° x 8.1° 22.5° x 17.0° 33.3° x 25.3°	0.5%
	MCS640/I5	800 ～ 3000℃	0.78 ～ 1.08μm		60Hz		0.5%
	MCS640/M	1100 ～ 1600℃	0.65μm		60Hz	8.4 x 8.4/113mm	0.5%

火炎越し熱画像

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	測定レート	測定画角（FOV）	精度	形状
102	MC320F	200 ～ 800℃	3.9μm	非冷却平面アレイセンサマイクロボロメーター	60Hz	21.6° x 16.3°	2%又は2℃
102	MC320FHT	400 ～ 1600℃	3.9μm	非冷却平面アレイセンサマイクロボロメーター	60Hz	21.6° x 16.3°	2%又は2℃

ガラス表面熱画像

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	測定レート	測定画角（FOV）	精度	形状
102	MC320G	200 ～ 800℃	4.8-5.2μm	非冷却平面アレイセンサマイクロボロメーター	60Hz	21.6° x 16.3°	2%又は2℃
102	MC320GHT	400 ～ 1600℃	4.8-5.2μm	非冷却平面アレイセンサマイクロボロメーター	60Hz	21.6° x 16.3°	2%又は2℃

金属・セラミックス熱画像

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	測定レート	測定画角（FOV）	精度
102	MC320M	150 ～ 500℃	3-5μm	非冷却平面アレイセンサマイクロボロメーター	60Hz	21.6° x 16.3°	2%又は2℃
	MC320M	200 ～ 800℃	3-5μm		60H	21.6° x 16.3°	2%又は2℃
	MC320MHT	400 ～ 1600℃	3-5μm		60Hz	21.6° x 16.3°	2%又は2℃

一般熱画像

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	測定レート	測定画角（FOV）	精度
106	MCL640L	-40 ～ 120℃	8-14μm	非冷却平面アレイセンサマイクロボロメーター	50Hz	57.3° x 43° 24.5° x 18.4° 12.5° x 9.4°	2%又は2℃
	MCL640L	0 ～ 500℃	8-14μm		50Hz	57.3° x 43° 24.5° x 18.4° 12.5° x 9.4°	2%又は2℃
	MCL640HT	200 ～ 1600℃	8-14μm		50Hz	57.3° x 43° 24.5° x 18.4° 12.5° x 9.4°	2%又は2℃

燃焼イメージングシステム

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	測定レート	測定画角（FOV）	精度
103	BoilerSpection	500 ～ 1600℃	3.9μm	非冷却平面アレイセンサマイクロボロメーター	60Hz	50° x 38° 75° x 56°	2%又は2℃
104	FurnaceSpection	600 ～ 1800℃	0.85μm	非冷却2次元センサ	60Hz	50° x 38°	0.5%
105	FEGT 炉出口ガス温度測定	400 ～ 2000℃	CO2燃焼ガス吸収波長	PbSe	2ms	測定距離：1～8m	0.6% ＜ 1300℃ 0.8% ＞1300℃