取扱い商品

GaNエピタキシャル成長温度測定 UV400/UVR400

製品名

GaNエピタキシャル成長温度測定

型番

UV400/UVR400

GaNエピタキシャル成長温度測定 UV400/UVR400は、GaNバッファーレイヤー成長及びMQW成長の温度測定が可能です。

用 途

• GaN膜温度測定
• 反射率測定

特 長

• サファイアウェハー上に成長するGaNエピタキシャル層の温度測定
• 従来のNIR測定におけるウェハーポケット温度測定に代わりにUV光（400nm）を使用し、GaNの温度測定をします。
• GaNバッファーレイヤー成長及びMQW成長の温度測定が可能です。
• 高い温度精度により、LED発光波長のコントロールができます。
• 高感度のPMT（光電子増倍管）を使用しているので、良好なS/Nと安定性を保ちます。
• NIR測定に見られる光の干渉がありません。
• 測定時間：8msec/20msec/100msec　から選択
• 測定面までの距離：73ｍｍ固定
• デジタル（RS485)及びアナログ出力

仕 様

基本システム構成図

※画像をクリックすると拡大します