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低温用：-40～900℃

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
5	IN5＋	-32～900℃	8～14μm	サーモパイル	80ms	φ2/100mm	0.6% 又は 1℃
	IN5-H＋	-32～900℃	8～14μm	サーモパイル	10ms	φ2/100mm	0.6% 又は 1.5℃
	IN5-L+	0～900℃	8～14μm	サーモパイル	180ms	φ1.1/100mm	0.6% 又は 2℃
28	IN510/520	-40～700℃	8～14μm	サーモパイル	180ms	φ5/50mm	0.8% 又は 1℃

低・中温用：5～1300℃

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
19	IPE140	5～500℃	3～5μm	PbSe	1.5ms	φ1.6/71mm	0.4% + 1℃
		30～1000℃	3～5μm	PbSe	1.5ms	φ1.1/105mm	0.4% + 1℃
		50～1200℃	3～5μm	PbSe	1.5ms	φ0.9/105mm	0.4% + 1℃
4	IGA6/23 IGA6/23-TV	50～1000℃	2～2.6μm	InGaAs	500μs	φ4.2/210mm	0.3% + 1℃
		75～1300℃	2～2.6μm	InGaAs	500μs	φ2.1/210mm	0.3% + 1℃
13	IGA320/23	75～550℃	2～2.6μm	InGaAs	2ms	φ5/250mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3%+1℃ ＝ 400℃～1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
		100～700℃	2～2.6μm	InGaAs	2ms	φ2.5/250mm
45	IGA140/23	50～700℃	2～2.6μm	InGaAs	1.5ms	φ1.7/105mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3%+2℃ ＝ 400℃～1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
		75～900℃	2～2.6μm	InGaAs	1.5ms	φ1.1/105mm
		100～1300℃	2～2.6μm	InGaAs	1.5ms	φ0.8/105mm

中・高温用：150～3000℃

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
4	IGA6/23 IGA6/23-TV	150～1800℃	2～2.6μm	InGaAs	500μs	φ0.6/210mm	0.3%+2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
13	IGA320/23	150～1200℃	2～2.6μm	InGaAs	2ms	φ1.6/250mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3%+1℃ ＝ 400℃～1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
		200～1800℃	2～2.6μm	InGaAs	2ms	φ1.25/250mm
45	IGA140/23	150～1800℃	2～2.6μm	InGaAs	1.5ms	φ0.5/105mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3%+2℃ ＝ 400℃～1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
1	IGA6 IGA6-TV	250～1800℃	1.45～1.8μm	InGaAs	120μs	φ0.6/210mm	0.3%+2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
		250～2500℃	1.45～1.8μm	InGaAs	120μs
12	IGA320	300～1300℃	1.45～1.8μm	InGaAs	2ms	φ2/250mm	0.3%+1℃ ＜ 1500℃ 0.5℃ ＞ 1500℃
		350～1650℃	1.45～1.8μm	InGaAs	2ms	φ3.2/600mm
		400～1800℃	1.45～1.8μm	InGaAs	2ms	φ1.2/250mm
18	IGA140	220～1150℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.35/130mm	0.3%+1℃ ＜ 1500℃ 0.5%+1℃ ＞ 1500℃
		300～1300℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		350～1800℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		450～2500℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		250～1350℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		300～2000℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		350～2500℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		300～3000℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
9	IGA12 IGA12-S （スキャナ可）	250～1000℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms	φ1.3/279mm	0.3%+1℃ ＜ 1500℃ 0.5%+1℃ ＞ 1500℃
		250～1400℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.9/279mm
		300～1300℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.9/279mm
		350～1800℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.5/279mm
		400～2300℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.4/279mm

高温用：600～3500℃

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
1	IS6 IS6-TV	600～1800℃	0.7～1.1μm	Si	120μs	φ0.6/210mm	0.3%+2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
		600～3000℃	0.7～1.1μm	Si	120μs
12	IS320	550～1400℃	0.8～1.1μm	Si	2ms	φ3/250mm	0.3%+1℃ ＜ 1500℃ 0.5℃ ＞ 1500℃
		600～1600℃	0.8～1.1μm	Si	2ms	φ2/250mm
		650～1800℃	0.8～1.1μm	Si	2ms	φ1.3/250mm
18	IS140	550～1400℃	0.7～1.1μm	Si	1ms	φ0.35/130mm	0.3%+1℃ ＜ 1500℃ 0.5% ℃ ＞ 1500℃
		550～1800℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
		600～1600℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
		650～1800℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
		750～2500℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
		900～3300℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
18	IS140/67	1100～3500℃	0.676μm	Si	1ms	φ0.35/130mm	0.3%+1℃ ＜ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
	IS140/55	1000～2000℃	0.55μm	Si	1ms	φ0.35/130mm	0.3%+1℃ ＜ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
9	IS12 IS12-S （スキャナ可）	550～1400℃	0.7～1.1μm	Si	1ms	φ0.9/80mm	0.3%+1℃ ＜ 1500℃ 0.5%+1℃ ＞ 1500℃
		550～2000℃	0.7～1.1μm	Si	1ms	φ0.3/80mm
		600～1600℃	0.7～1.1μm	Si	1ms	φ0.3/80mm
		650～1800℃	0.7～1.1μm	Si	1ms	φ0.3/80mm
		700～3500℃	0.7～1.1μm	Si	1ms	φ0.1/80mm
		750～2500℃	0.7～1.1μm	Si	1ms	φ0.1/80mm

2色（レシオ）型放射温度計

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
44	IGAR6 単色	100～2000℃	1.5～2.5μm	InGaAs	2ms	φ2.1/210mm	0.4% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.8% ＞ 1500℃
44	IGAR6 2色	250～2000℃	1.5～1.6/2.0～2.5 （2色）μm		2ms	φ2.1/210mm
2	ISR6 Advanced	600～1400℃	0.9/1.05 （2色）μm	Si	2ms	φ2.1/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
		700～1800℃			2ms	φ1.1/210mm
		800～2500℃			2ms	φ0.7/210mm
		1000～3000℃			2ms	φ0.7/210mm
3	ISR6-Ti Advanced	700～1800℃	0.9/1.05 （2色）μm	Si	2ms	φ1.1/210mm	0.5% + 2℃ ＜ 1500℃ 1% ＞ 1500℃
3	同上 熱画像表示				25Hz	6° X 4.5°
15	IGAR320	300～1300℃	1.5～1.6/2.0～2.5 （2色）μm	InGaAs	10ms	φ30/300mm	0.6% + 2℃
15	ISR320	700～1700℃	0.9/1.05 （2色）μm	Si	10ms	φ30/300mm	0.5% + 1℃ ＜ 1300℃ 1% ＞ 1300℃
33	IGAR12-LO	300～1000℃	1.52/1.64 （2色）μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm	0.5% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
		350～1300℃	1.28/1.65 （2色）μm		2ms	φ0.45/88mm
		450～1700℃			2ms
		500～2200℃			2ms
		550～2500℃			2ms
		600～3300℃			2ms
33	ISR12-LO	600～1300℃	0.8/1.05 （2色）μm	Si	2ms	φ0.8/88mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
		750～1800℃			2ms	φ0.45/88mm
		900～2500℃			2ms
		1000～3300℃			2ms
		1000～3500℃			2ms

光ファイバー放射温度計

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
14	IGA320/23-LO
		85〜600℃	2～2.6μm	InGaAs	2ms	φ1.2/88mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% +1℃ ＞ 400℃
		100～700℃	2～2.6μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm
		150～1200℃	2～2.6μm	InGaAs	2ms	φ0.5/88mm
37	IGA50-LO	300～1300℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.45/88mm	0.3% +1℃ ＜ 1500℃ 0.5% +1℃ ＞ 1500℃
		350～1800℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		450～2500℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		250～1350℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		300～2000℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		350～2500℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
37	IS50-LO	550～1400℃	0.7～1.1μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% +1℃ ＜ 1500℃ 0.5% +1℃ ＞ 1500℃
		600～1600℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
		650～1800℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
		750～2500℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
		900～3300℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
		550～1800℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
40	IS50/67-LO	1100～3500℃	0.67μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% +1℃ ＞ 1500℃
40	IS50/55-LO	1000～2300℃	0.55μm	Si	1ms	φ0.45/88mm
33	IGAR12-LO	300～1000℃	1.52/1.64 （2色）μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm	0.5% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
		350～1300℃	1.28/1.65 （2色）μm		2ms	φ0.45/88mm
		450～1700℃			2ms
		500～2200℃			2ms
		550～2500℃			2ms
		600～3300℃			2ms
33	ISR12-LO	600～1300℃	0.8/1.05 （2色）μm	Si	2ms	φ0.8/88mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
		750～1800℃			2ms	φ0.45/88mm
		900～2500℃			2ms
		1000～3300℃			2ms
		1000～3500℃			2ms
36	IS50-LO/GL	600～1800℃	0.8～1.1μm	Si	250ms	φ9/300mm	0.3%+1℃ ＜1500℃ 0.5%+1℃ ＞1500℃

超高速応答測定

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
24	IGA740	160～1000℃	1.58～2.2μm	InGaAs	6μs	φ0.7/288mm	0.75%
		300～1400℃	1.58～1.8μm
		300～2300℃	2～2.2μm
		500～2500℃	1.58～1.8μm
24	IGA740-LO 光ファイバー	200～1000℃	1.58～2.2μm	InGaAs	6μs	φ1/70mm	0.75%
		300～1400℃	1.58～1.8μm
		300～2300℃	2～2.2μm
		400～2500℃	1.58～1.8
25	IMGA740	160～1000℃	1.58～2.2μm	InGaAs	10μs	φ2.5/450mm	0.75%
		300～1400℃	1.58～1.8μm
		300～2300℃	1.58～2.2μm
		500～2500℃	1.58～1.8μm
		350～3500℃	2～2.5μm
25	IMGA740-LO 光ファイバー	200～1000℃	1.58～2.2μm	InGaAs	10μs	φ1/70mm	0.75%
		300～1400℃	1.58～1.8μm
		300～2300℃	1.58～2.2μm
		500～2500℃	1.58～1.8μm
		400～3000℃	2～2.5μm
		350～3500℃	2～2.5μm

携帯型

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
16	IGA8 pro	250～1600℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms	φ2.2/500mm	0.4%+1℃
		280～2000℃				φ1.6/500mm
16	IS8 pro	600～1800℃	0.78～1.1μm	Si	1ms	φ1.6/500mm	0.4%+1℃
		750～2500℃				φ1/500mm
16	IS8-GS pro	1000～2000℃	0.55μm	Si	500ms	φ2.8/500mm	0.4% + 1℃

火炎越し温度測定

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
21	IPE140/39	20～700℃	3.9μm	PbSe	1.5ms	φ2.4/105mm	2.5℃ ＜ 400℃ 0.4% + 1℃ ＞ 400℃
		75～1200℃				φ0.9/105mm
		300～1450℃				φ0.7/105mm
		500～1800℃				φ0.7/105mm

燃焼ガス温度測定

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
22	IPE140/45	400～2000℃	燃焼ガス吸収帯	CO2特定波長	1.5ms	φ1.1/115mm	0.6% ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃

溶湯（出湯・保持温度）温度

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
16	IS8-GS pro	1000～2000℃	0.55μm	Si	500ms	φ2.8/500mm	0.4% + 1℃
40	IS50/67-LO	1100～3500℃	0.67μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% +1℃ ＞ 1500℃
40	IS50/55-LO	1000～2300℃	0.55μm	Si	1ms	φ0.45/88mm
46	ISR12-LO/GS	750～1800℃	0.8/1.05 (2色温度計)μm	Si	2ms	17ｘ1.6/340mm 41ｘ1.6/340mm	0.4% +1℃ ＜ 1500℃ 0.6% +1℃ ＞ 1500℃
		900～2500℃		Si	2ms

高周波誘導加熱用

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
33	IGAR12-LO	300～1000℃	1.52/1.64 （2色）μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm	0.5% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
		350～1300℃	1.28/1.65 （2色）μm		2ms	φ0.45/88mm
		450～1700℃			2ms
		500～2200℃			2ms
		550～2500℃			2ms
		600～3300℃			2ms
33	ISR12-LO	600～1300℃	0.8/1.05 （2色）μm	Si	2ms	φ0.8/88mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
		750～1800℃			2ms	φ0.45/88mm
		900～2500℃			2ms
		1000～3300℃			2ms
		1000～3500℃			2ms
37	IGA50-LO	300～1300℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.45/88mm	0.3% +1℃ ＜ 1500℃ 0.5% +1℃ ＞ 1500℃
		350～1800℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		450～2500℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		250～1350℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		300～2000℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
		350～2500℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms
37	IS50-LO	550～1400℃	0.7～1.1μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% +1℃ ＜ 1500℃ 0.5% +1℃ ＞ 1500℃
		600～1600℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
		650～1800℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
		750～2500℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
		900～3300℃	0.7～1.1μm	Si	1ms
		550～1800℃	0.7～1.1μm	Si	1ms

レーザー溶接 レーザー加工用

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
44	IGAR6 単色	100～2000℃	1.5～2.5μm	InGaAs	2ms	φ2.1/210mm	0.4% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.8% ＞ 1500℃
44	IGAR6 2色	250～2000℃	1.5～1.6/2.0～2.5 （2色）μm		2ms	φ2.1/210mm
33	IGAR12-LO	300～1000℃	1.52/1.64 （2色）μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm	0.5% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
		350～1300℃	1.28/1.65 （2色）μm		2ms	φ0.45/88mm
		450～1700℃			2ms
		500～2200℃			2ms
		550～2500℃			2ms
		600～3300℃			2ms
33	ISR12-LO	600～1300℃	0.8/1.05 （2色）μm	Si	2ms	φ0.8/88mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
		750～1800℃			2ms	φ0.45/88mm
		900～2500℃			2ms
		1000～3300℃			2ms
		1000～3500℃			2ms
24	IGA740	160～1000℃	1.58～2.2μm	InGaAs	6μs	φ0.7/288mm	0.75%
		300～1400℃	1.58～1.8μm
		300～2300℃	2～2.2μm
		500～2500℃	1.58～1.8μm
24	IGA740-LO 光ファイバー	200～1000℃	1.58～2.2μm	InGaAs	6μs	φ1/70mm	0.75%
		300～1400℃	1.58～1.8μm
		300～2300℃	2～2.2μm
		400～2500℃	1.58～1.8
		350～3500℃	2～2.5μm
1	IGA6 IGA6-TV	250～1800℃	1.45～1.8μm	InGaAs	120μs	φ0.6/210mm	0.3%+2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
		250～2500℃	1.45～1.8μm	InGaAs	120μs
1	IS6 IS6-TV	600～1800℃	0.7～1.1μm	Si	120μs	φ0.6/210mm	0.3%+2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
		600～3000℃	0.7～1.1μm	Si	120μs

ガラス製造用（溶解炉、フォーハース、ゴブ温度）

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
36	IS50-LO/GL	600～1800℃	0.8～1.1μm	Si	250ms	φ9/300mm	0.3%+1℃ ＜1500℃ 0.5%+1℃ ＞1500℃
2	ISR6 Advanced	600～1400℃	0.9/1.05 （2色）μm	Si	2ms	φ2.1/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
		700～1800℃			2ms	φ1.1/210mm
		800～2500℃			2ms	φ0.7/210mm
		1000～3000℃			2ms	φ0.7/210mm
16	IGA8 pro	250～1600℃	1.45～1.8μm	InGaAs	1ms	φ2.2/500mm	0.4%+1℃
		280～2000℃				φ1.6/500mm
16	IS8 pro	600～1800℃	0.78～1.1μm	Si	1ms	φ1.6/500mm	0.4%+1℃
		750～2500℃				φ1/500mm

ガラス表面温度

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
6	IN5/5+	100～1300℃	5.14μm	サーモパイル	80ms	φ2.5/100mm	06% 又は 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃～1800℃ 1% ＞ 1800℃
		400～2500℃
6	IN5/5-H+	200～1300℃	5.14μm	サーモパイル	10ms	φ2.5/100mm
		400～2500℃
6	IN5/5-L+	200～1300℃	5.14μm	サーモパイル	80ms	φ1.1/105mm	08% 又は 3℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃～1800℃ 1.2% ＞ 1800℃
		400～2500℃
35	IN140/5	250～1400℃	5.14μm	サーモパイル	40ms	φ1.3/100mm	0.6% + 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃
		300～1600℃
		450～1500℃				φ1/100mm
		500～2500℃
35	IN140/5-H	250～1400℃	5.14μm	サーモパイル	10ms	φ1.3/100mm	0.6% + 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃
		300～1600℃
		450～1500℃				φ1/100mm
		500～2500℃
35	IN140/5-L	250～1400℃	5.14μm	サーモパイル	40ms	φ1.3/159mm	0.6% + 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃
		300～1600℃
		450～1500℃				φ0.9/159mm
		500～2500℃
8	極薄板専用 IN6/78-L	400～1100℃	7.8μm	サーモパイル	80ms	φ5/370mm	0.7% 又は 3℃
8	極薄板専用 IN6/78-H	150～800℃	7.8μm	サーモパイル	35ms	φ7/350㎜	0.7% 又は 3℃

アルミ温度測定

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
10	IS12-AL	350～900℃	近赤外狭波長	Si	8ms	φ2.2/112mm	0.3% + 1℃
10	IS12-AL	400～1050℃	近赤外狭波長	Si	8ms	φ2.2/112mm	0.3% + 1℃
39	IS50-AL-LO	400～1000	近赤外狭波長	Si	1ms	φ1.1/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃

フィルム温度

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
20	IPE140/34	50～400℃	3.43μm	PbSe	1.5ms	φ3.3/110mm	2.5℃ ＜ 400℃ 0.4%+1℃ ＞ 400℃
20	IPE140/34	75～500℃	3.43μm	PbSe	1.5ms	φ2.1/110mm	2.5℃ ＜ 400℃ 0.4%+1℃ ＞ 400℃

シリコンウェハー測定

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
11	IS12-Si	350～1000℃	0.9μm	Si	10ms	φ2.2/120mm	0.4% + 1℃
11	IS12-Si	400～900℃	0.9μm	Si	10ms	φ1.2/80mm	0.4% + 1℃
11	IS12-Si	400～1300℃	0.9μm	Si	10ms	φ2.3/275mm	0.4% + 1℃
11	IS12-Si	500～1800℃	0.9μm	Si	10ms	φ0.7/80mm	0.4% + 1℃
38	IS50-Si-LO	400～1300	0.9μm	Si	1ms	φ0.8/110mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		500～1600

半導体製造装置向けPhotriX

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
42	レンズ型(LE) ワイドレンジ、低温	65～1000℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
		135～2400℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.5/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
42	レンズ型(LE) シリコンウェーハ専用	270～2150℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
		300～2600℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.7/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
42	レンズ型(LE) 金属表面型	125～2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.7/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
		180～2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.5/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
42	ライトパイプ型(LP) ワイドレンジ、低温	30～670℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ 又は 0.15℃
42	ライトパイプ型(LP) シリコンウェーハ専用	220～1300℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ 又は 0.15℃
42	ライトパイプ型(LP) 金属表面型	70～1100℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ 又は 0.15℃
42	レンズ+ファイバー延長型(LE-LO) ワイドレンジ、低温	65～1000℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.8/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
		80～1300℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.3/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
		115～2600℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
42	レンズ+ファイバー延長型(LE-LO) シリコンウェーハ専用	270～2150℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.4/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
		290～2500℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.9/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
		335～2600℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
42	レンズ+ファイバー延長型(LE-LO) 金属表面型	125～2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.4/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
		145～2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.9/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
		160～2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50㎜	0.15％ 又は 0.15℃
42	ライトパイプ+ファイバー延長型(LP-LO) ワイドレンジ、低温	60～900℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ 又は 0.15℃
		65～950℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ 又は 0.15℃
		100～1400℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ 又は 0.15℃
42	ライトパイプ+ファイバー延長型(LP-LO) シリコンウェーハ専用	240～1600℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ 又は 0.15℃
		255～1900℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ 又は 0.15℃
		290～2600℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ 又は 0.15℃
42	ライトパイプ+ファイバー延長型(LP-LO) 金属表面型	100～1800℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ 又は 0.15℃
		115～2400℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ 又は 0.15℃
		155～2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ 又は 0.15℃

ランプ加熱制御

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
20	IPE140/34	100～1500℃	3.43μm	PbSe	1.5ms	φ2.1/110㎜	0.40%
6	IN5/5+	100～1300℃	5.14μm	サーモパイル	80ms	φ2.5/100mm	06% 又は 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃～1800℃ 1% ＞ 1800℃
		400～2500℃
6	IN5/5-H+	200～1300℃	5.14μm	サーモパイル	10ms	φ2.5/100mm
		400～2500℃
6	IN5/5-L+	200～1300℃	5.14μm	サーモパイル	80ms	φ1.1/105mm	08% 又は 3℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃～1800℃ 1.2% ＞ 1800℃
		400～2500℃
35	IN140/5	250～1400℃	5.14μm	サーモパイル	40ms	φ1.3/100mm	0.6%+2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃
35	IN140/5-H	300～1600℃	5.14μm	サーモパイル	10ms
35	IN140/5-L	450～1500℃	5.14μm	サーモパイル	40ms	φ0.9/159mm
		500～2500℃

サファイアガラス

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
7	IN5/9+	0～1500℃	8～9.7μm	サーモパイル	180ms	φ1.7/95㎜	0.60%

GaN膜

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	応答時間	最小測定径	精度	形状
43	UV400	650～1300℃	383～410nm	PMT	8ms	φ9.8/74㎜	<1000℃：3℃ ＞1000℃：0.3％
43	UVR400	650～1300℃	383～410nm	PMT	8ms	φ9.8/74㎜	<1000℃：3℃ ＞1000℃：0.3％

窓越し熱画像

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	測定レート	測定画角（FOV）	精度	形状
101	MCS640/I1	600～1600℃	0.85μm	非冷却2次元センサ	60Hz	3.5°ｘ2.6° 5.4°ｘ4.0° 10.8°ｘ8.1° 22.5°ｘ17.0° 33.3°ｘ25.3°	0.5%
		800～3000℃
101	MCS640/I5	600～1600℃	0.78～1.08μm		60Hz	3.5°ｘ2.6° 5.4°ｘ4.0° 10.8°ｘ8.1° 22.5°ｘ17.0° 33.3°ｘ25.3°	0.5%
		800～3000℃
101	MCS640/M	1100～1600℃	0.65μm		60Hz	8.4ｘ8.4/113mm	0.5%

火炎越し熱画像

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	測定レート	測定画角（FOV）	精度	形状
102	MC320F	200～800℃	3.9μm	非冷却平面アレイセンサ マイクロボロメーター	60Hz	21.6°X16.3°	2%又は2℃
102	MC320FHT	400～1600℃	3.9μm		60Hz	21.6°X16.3°	2%又は2℃

ガラス表面熱画像

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	測定レート	測定画角（FOV）	精度	形状
102	MC320G	200～800℃	4.8-5.2μm	非冷却平面アレイセンサ マイクロボロメーター	60Hz	21.6°X16.3°	2%又は2℃
102	MC320GHT	400～1600℃	4.8-5.2μm		60Hz	21.6°X16.3°	2%又は2℃

金属・セラミックス熱画像

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	測定レート	測定画角（FOV）	精度	形状
102	MC320M	150～500℃	3-5μm	非冷却平面アレイセンサ マイクロボロメーター	60Hz	21.6°X16.3°	2%又は2℃
102	MC320M	200～800℃	3-5μm		60Hz	21.6°X16.3°	2%又は2℃
102	MC320MHT	400～1600℃	3-5μm		60Hz	21.6°X16.3°	2%又は2℃

一般熱画像

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	測定レート	測定画角（FOV）	精度	形状
106	MCL640L	-40～120℃	8-14μm	非冷却平面アレイセンサ マイクロボロメーター	50Hz	57.3°ｘ43° 24.5°ｘ18.4° 12.5°ｘ9.4°	2%又は2℃
		0～500℃
106	MCL640HT	200～1600℃	8-14μm		50Hz	57.3°ｘ43° 24.5°ｘ18.4° 12.5°ｘ9.4°	2%又は2℃

燃焼イメージングシステム

No.	型式	温度範囲	測定波長	素子	測定 レート	測定画角（FOV）	精度	形状
103	BoilerSpection	500～1600℃	3.9μm	非冷却平面 アレイセンサ マイクロボロメーター	60Hz	50°x38° 75°×56°	2%又は2℃
104	FurnaceSpection	600～1800℃	0.85μm	非冷却2次元センサ	60Hz	50°x38°	0.5%
105	FEGT 炉出口ガス温度測定	400～2000℃	CO2燃焼ガス 吸収波長	PbSe	2ms	測定距離： 1～8m	0.6% ＜ 1300℃ 0.8% ＞1300℃