非接触温度計測のパイロメータ営業部

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低温用:-40~900℃
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
5 IN5+ -32~900℃ 8~14μm サーモパイル 80ms φ2/100mm 0.6% 又は 1℃
IN5-H+ -32~900℃ 8~14μm サーモパイル 10ms φ2/100mm 0.6% 又は 1.5℃
IN5-L+ 0~900℃ 8~14μm サーモパイル 180ms φ1.1/100mm 0.6% 又は 2℃
28 IN510/520 -40~700℃ 8~14μm サーモパイル 180ms φ5/50mm 0.8% 又は 1℃
低・中温用:5~1300℃
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
19 IPE140 5~500℃ 3~5μm PbSe 1.5ms φ1.6/71mm 0.4% + 1℃
30~1000℃ 3~5μm PbSe 1.5ms φ1.1/105mm 0.4% + 1℃
50~1200℃ 3~5μm PbSe 1.5ms φ0.9/105mm 0.4% + 1℃
4 IGA6/23
IGA6/23-TV
50~1000℃ 2~2.6μm InGaAs 500μs φ4.2/210mm 0.3% + 1℃
75~1300℃ 2~2.6μm InGaAs 500μs φ2.1/210mm 0.3% + 1℃
13 IGA320/23 75~550℃ 2~2.6μm InGaAs 2ms φ5/250mm 2℃ < 400℃
0.3%+1℃ = 400℃~1500℃
0.5% > 1500℃
100~700℃ 2~2.6μm InGaAs 2ms φ2.5/250mm
45 IGA140/23 50~700℃ 2~2.6μm InGaAs 1.5ms φ1.7/105mm 2℃ < 400℃
0.3%+2℃ = 400℃~1500℃
0.5% > 1500℃
75~900℃ 2~2.6μm InGaAs 1.5ms φ1.1/105mm
100~1300℃ 2~2.6μm InGaAs 1.5ms φ0.8/105mm
中・高温用:150~3000℃
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
4 IGA6/23
IGA6/23-TV
150~1800℃ 2~2.6μm InGaAs 500μs φ0.6/210mm 0.3%+2℃ < 1500℃
0.6% > 1500℃
13 IGA320/23 150~1200℃ 2~2.6μm InGaAs 2ms φ1.6/250mm 2℃ < 400℃
0.3%+1℃ = 400℃~1500℃
0.5% > 1500℃
200~1800℃ 2~2.6μm InGaAs 2ms φ1.25/250mm
45 IGA140/23 150~1800℃ 2~2.6μm InGaAs 1.5ms φ0.5/105mm 2℃ < 400℃
0.3%+2℃ = 400℃~1500℃
0.5% > 1500℃
1 IGA6
IGA6-TV
250~1800℃ 1.45~1.8μm InGaAs 120μs φ0.6/210mm 0.3%+2℃ < 1500℃
0.6% > 1500℃
250~2500℃ 1.45~1.8μm InGaAs 120μs
12 IGA320 300~1300℃ 1.45~1.8μm InGaAs 2ms φ2/250mm 0.3%+1℃ < 1500℃
0.5℃ > 1500℃
350~1650℃ 1.45~1.8μm InGaAs 2ms φ3.2/600mm
400~1800℃ 1.45~1.8μm InGaAs 2ms φ1.2/250mm
18 IGA140 220~1150℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms φ0.35/130mm 0.3%+1℃ < 1500℃
0.5%+1℃ > 1500℃
300~1300℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
350~1800℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
450~2500℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
250~1350℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
300~2000℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
350~2500℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
300~3000℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
9 IGA12
IGA12-S
(スキャナ可)
250~1000℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms φ1.3/279mm 0.3%+1℃ < 1500℃
0.5%+1℃ > 1500℃
250~1400℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms φ0.9/279mm
300~1300℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms φ0.9/279mm
350~1800℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms φ0.5/279mm
400~2300℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms φ0.4/279mm
高温用:600~3500℃
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
1 IS6
IS6-TV
600~1800℃ 0.7~1.1μm Si 120μs φ0.6/210mm 0.3%+2℃ < 1500℃
0.6% > 1500℃
600~3000℃ 0.7~1.1μm Si 120μs
12 IS320 550~1400℃ 0.8~1.1μm Si 2ms φ3/250mm 0.3%+1℃ < 1500℃
0.5℃ > 1500℃
600~1600℃ 0.8~1.1μm Si 2ms φ2/250mm
650~1800℃ 0.8~1.1μm Si 2ms φ1.3/250mm
18 IS140 550~1400℃ 0.7~1.1μm Si 1ms φ0.35/130mm 0.3%+1℃ < 1500℃
0.5% ℃ > 1500℃
550~1800℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
600~1600℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
650~1800℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
750~2500℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
900~3300℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
18 IS140/67 1100~3500℃ 0.676μm Si 1ms φ0.35/130mm 0.3%+1℃ < 1500℃
0.5% > 1500℃
IS140/55 1000~2000℃ 0.55μm Si 1ms φ0.35/130mm 0.3%+1℃ < 1500℃
0.5% > 1500℃
9 IS12
IS12-S
(スキャナ可)
550~1400℃ 0.7~1.1μm Si 1ms φ0.9/80mm 0.3%+1℃ < 1500℃
0.5%+1℃ > 1500℃
550~2000℃ 0.7~1.1μm Si 1ms φ0.3/80mm
600~1600℃ 0.7~1.1μm Si 1ms φ0.3/80mm
650~1800℃ 0.7~1.1μm Si 1ms φ0.3/80mm
700~3500℃ 0.7~1.1μm Si 1ms φ0.1/80mm
750~2500℃ 0.7~1.1μm Si 1ms φ0.1/80mm
2色(レシオ)型放射温度計
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
44 IGAR6 単色 100~2000℃ 1.5~2.5μm InGaAs 2ms φ2.1/210mm 0.4% + 2℃ < 1500℃
0.8% > 1500℃
44 IGAR6 2色 250~2000℃ 1.5~1.6/2.0~2.5
(2色)μm
2ms φ2.1/210mm
2 ISR6
Advanced
600~1400℃ 0.9/1.05 (2色)μm Si 2ms φ2.1/210mm 0.3% + 2℃ < 1500℃
0.6% > 1500℃
700~1800℃ 2ms φ1.1/210mm
800~2500℃ 2ms φ0.7/210mm
1000~3000℃ 2ms φ0.7/210mm
3 ISR6-Ti
Advanced
700~1800℃ 0.9/1.05 (2色)μm Si 2ms φ1.1/210mm 0.5% + 2℃ < 1500℃
1% > 1500℃

3 同上
熱画像表示
25Hz 6° X 4.5°
15 IGAR320 300~1300℃ 1.5~1.6/2.0~2.5
(2色)μm
InGaAs 10ms φ30/300mm 0.6% + 2℃
15 ISR320 700~1700℃ 0.9/1.05 (2色)μm Si 10ms φ30/300mm 0.5% + 1℃ < 1300℃
1% > 1300℃
33 IGAR12-LO 300~1000℃ 1.52/1.64 (2色)μm InGaAs 2ms φ0.8/88mm 0.5% + 1℃ < 1500℃
0.7% + 1℃ > 1500℃
350~1300℃ 1.28/1.65 (2色)μm 2ms φ0.45/88mm
450~1700℃ 2ms
500~2200℃ 2ms
550~2500℃ 2ms
600~3300℃ 2ms
33 ISR12-LO 600~1300℃ 0.8/1.05 (2色)μm Si 2ms φ0.8/88mm 0.4% + 1℃ < 1500℃
0.6% + 1℃ > 1500℃
750~1800℃ 2ms φ0.45/88mm
900~2500℃ 2ms
1000~3300℃ 2ms
1000~3500℃ 2ms
光ファイバー放射温度計
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
14 IGA320/23-LO
85〜600℃ 2~2.6μm InGaAs 2ms φ1.2/88mm 2℃ < 400℃
0.3% +1℃ > 400℃
100~700℃ 2~2.6μm InGaAs 2ms φ0.8/88mm
150~1200℃ 2~2.6μm InGaAs 2ms φ0.5/88mm
37 IGA50-LO 300~1300℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms φ0.45/88mm 0.3% +1℃ < 1500℃
0.5% +1℃ > 1500℃
350~1800℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
450~2500℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
250~1350℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
300~2000℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
350~2500℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
37 IS50-LO 550~1400℃ 0.7~1.1μm Si 1ms φ0.45/88mm 0.3% +1℃ < 1500℃
0.5% +1℃ > 1500℃
600~1600℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
650~1800℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
750~2500℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
900~3300℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
550~1800℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
40 IS50/67-LO 1100~3500℃ 0.67μm Si 1ms φ0.45/88mm 0.3% + 1℃ < 1500℃
0.5% +1℃ > 1500℃
40 IS50/55-LO 1000~2300℃ 0.55μm Si 1ms φ0.45/88mm
33 IGAR12-LO 300~1000℃ 1.52/1.64 (2色)μm InGaAs 2ms φ0.8/88mm 0.5% + 1℃ < 1500℃
0.7% + 1℃ > 1500℃
350~1300℃ 1.28/1.65 (2色)μm 2ms φ0.45/88mm
450~1700℃ 2ms
500~2200℃ 2ms
550~2500℃ 2ms
600~3300℃ 2ms
33 ISR12-LO 600~1300℃ 0.8/1.05 (2色)μm Si 2ms φ0.8/88mm 0.4% + 1℃ < 1500℃
0.6% + 1℃ > 1500℃
750~1800℃ 2ms φ0.45/88mm
900~2500℃ 2ms
1000~3300℃ 2ms
1000~3500℃ 2ms
36 IS50-LO/GL 600~1800℃ 0.8~1.1μm Si 250ms φ9/300mm 0.3%+1℃ <1500℃
0.5%+1℃ >1500℃
超高速応答測定
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
24 IGA740 160~1000℃ 1.58~2.2μm InGaAs 6μs φ0.7/288mm 0.75%
300~1400℃ 1.58~1.8μm
300~2300℃ 2~2.2μm
500~2500℃ 1.58~1.8μm
24 IGA740-LO
光ファイバー
200~1000℃ 1.58~2.2μm InGaAs 6μs φ1/70mm 0.75%
300~1400℃ 1.58~1.8μm
300~2300℃ 2~2.2μm
400~2500℃ 1.58~1.8
25 IMGA740 160~1000℃ 1.58~2.2μm InGaAs 10μs φ2.5/450mm 0.75%
300~1400℃ 1.58~1.8μm
300~2300℃ 1.58~2.2μm
500~2500℃ 1.58~1.8μm
350~3500℃ 2~2.5μm
25 IMGA740-LO
光ファイバー
200~1000℃ 1.58~2.2μm InGaAs 10μs φ1/70mm 0.75%
300~1400℃ 1.58~1.8μm
300~2300℃ 1.58~2.2μm
500~2500℃ 1.58~1.8μm
400~3000℃ 2~2.5μm
350~3500℃ 2~2.5μm
携帯型
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
16 IGA8 pro 250~1600℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms φ2.2/500mm 0.4%+1℃
280~2000℃ φ1.6/500mm
16 IS8 pro 600~1800℃ 0.78~1.1μm Si 1ms φ1.6/500mm 0.4%+1℃
750~2500℃ φ1/500mm
16 IS8-GS pro 1000~2000℃ 0.55μm Si 500ms φ2.8/500mm 0.4% + 1℃
火炎越し温度測定
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
21 IPE140/39 20~700℃ 3.9μm PbSe 1.5ms φ2.4/105mm 2.5℃ < 400℃
0.4% + 1℃ > 400℃
75~1200℃ φ0.9/105mm
300~1450℃ φ0.7/105mm
500~1800℃ φ0.7/105mm
燃焼ガス温度測定
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
22 IPE140/45 400~2000℃ 燃焼ガス吸収帯 CO2特定波長 1.5ms φ1.1/115mm 0.6% < 1300℃
0.8% > 1300℃
溶湯(出湯・保持温度)温度
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
16 IS8-GS pro 1000~2000℃ 0.55μm Si 500ms φ2.8/500mm 0.4% + 1℃
40 IS50/67-LO 1100~3500℃ 0.67μm Si 1ms φ0.45/88mm 0.3% + 1℃ < 1500℃
0.5% +1℃ > 1500℃
40 IS50/55-LO 1000~2300℃ 0.55μm Si 1ms φ0.45/88mm
46 ISR12-LO/GS 750~1800℃ 0.8/1.05
(2色温度計)μm
Si 2ms 17x1.6/340mm
41x1.6/340mm
0.4% +1℃ < 1500℃
0.6% +1℃ > 1500℃
900~2500℃ Si 2ms
高周波誘導加熱用
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
33 IGAR12-LO 300~1000℃ 1.52/1.64 (2色)μm InGaAs 2ms φ0.8/88mm 0.5% + 1℃ < 1500℃
0.7% + 1℃ > 1500℃
350~1300℃ 1.28/1.65 (2色)μm 2ms φ0.45/88mm
450~1700℃ 2ms
500~2200℃ 2ms
550~2500℃ 2ms
600~3300℃ 2ms
33 ISR12-LO 600~1300℃ 0.8/1.05 (2色)μm Si 2ms φ0.8/88mm 0.4% + 1℃ < 1500℃
0.6% + 1℃ > 1500℃
750~1800℃ 2ms φ0.45/88mm
900~2500℃ 2ms
1000~3300℃ 2ms
1000~3500℃ 2ms
37 IGA50-LO 300~1300℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms φ0.45/88mm 0.3% +1℃ < 1500℃
0.5% +1℃ > 1500℃
350~1800℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
450~2500℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
250~1350℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
300~2000℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
350~2500℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms
37 IS50-LO 550~1400℃ 0.7~1.1μm Si 1ms φ0.45/88mm 0.3% +1℃ < 1500℃
0.5% +1℃ > 1500℃
600~1600℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
650~1800℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
750~2500℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
900~3300℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
550~1800℃ 0.7~1.1μm Si 1ms
レーザー溶接 レーザー加工用
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
44 IGAR6 単色 100~2000℃ 1.5~2.5μm InGaAs 2ms φ2.1/210mm 0.4% + 2℃ < 1500℃
0.8% > 1500℃
44 IGAR6 2色 250~2000℃ 1.5~1.6/2.0~2.5
(2色)μm
2ms φ2.1/210mm
33 IGAR12-LO 300~1000℃ 1.52/1.64 (2色)μm InGaAs 2ms φ0.8/88mm 0.5% + 1℃ < 1500℃
0.7% + 1℃ > 1500℃
350~1300℃ 1.28/1.65 (2色)μm 2ms φ0.45/88mm
450~1700℃ 2ms
500~2200℃ 2ms
550~2500℃ 2ms
600~3300℃ 2ms
33 ISR12-LO 600~1300℃ 0.8/1.05 (2色)μm Si 2ms φ0.8/88mm 0.4% + 1℃ < 1500℃
0.6% + 1℃ > 1500℃
750~1800℃ 2ms φ0.45/88mm
900~2500℃ 2ms
1000~3300℃ 2ms
1000~3500℃ 2ms
24 IGA740 160~1000℃ 1.58~2.2μm InGaAs 6μs φ0.7/288mm 0.75%
300~1400℃ 1.58~1.8μm
300~2300℃ 2~2.2μm
500~2500℃ 1.58~1.8μm
24 IGA740-LO
光ファイバー
200~1000℃ 1.58~2.2μm InGaAs 6μs φ1/70mm 0.75%
300~1400℃ 1.58~1.8μm
300~2300℃ 2~2.2μm
400~2500℃ 1.58~1.8
350~3500℃ 2~2.5μm
1 IGA6
IGA6-TV
250~1800℃ 1.45~1.8μm InGaAs 120μs φ0.6/210mm 0.3%+2℃ < 1500℃
0.6% > 1500℃
250~2500℃ 1.45~1.8μm InGaAs 120μs
1 IS6
IS6-TV
600~1800℃ 0.7~1.1μm Si 120μs φ0.6/210mm 0.3%+2℃ < 1500℃
0.6% > 1500℃
600~3000℃ 0.7~1.1μm Si 120μs
ガラス製造用(溶解炉、フォーハース、ゴブ温度)
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
36 IS50-LO/GL 600~1800℃ 0.8~1.1μm Si 250ms φ9/300mm 0.3%+1℃ <1500℃
0.5%+1℃ >1500℃
2 ISR6
Advanced
600~1400℃ 0.9/1.05 (2色)μm Si 2ms φ2.1/210mm 0.3% + 2℃ < 1500℃
0.6% > 1500℃
700~1800℃ 2ms φ1.1/210mm
800~2500℃ 2ms φ0.7/210mm
1000~3000℃ 2ms φ0.7/210mm
16 IGA8 pro 250~1600℃ 1.45~1.8μm InGaAs 1ms φ2.2/500mm 0.4%+1℃
280~2000℃ φ1.6/500mm
16 IS8 pro 600~1800℃ 0.78~1.1μm Si 1ms φ1.6/500mm 0.4%+1℃
750~2500℃ φ1/500mm
ガラス表面温度
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
6 IN5/5+ 100~1300℃ 5.14μm サーモパイル 80ms φ2.5/100mm 06% 又は 2℃ < 1300℃
0.8% = 1300℃~1800℃
1% > 1800℃
400~2500℃
6 IN5/5-H+ 200~1300℃ 5.14μm サーモパイル 10ms φ2.5/100mm
400~2500℃
6 IN5/5-L+ 200~1300℃ 5.14μm サーモパイル 80ms φ1.1/105mm 08% 又は 3℃ < 1300℃
0.8% = 1300℃~1800℃
1.2% > 1800℃
400~2500℃
35 IN140/5 250~1400℃ 5.14μm サーモパイル 40ms φ1.3/100mm 0.6% + 2℃ < 1300℃
0.8% > 1300℃
300~1600℃
450~1500℃ φ1/100mm
500~2500℃
35 IN140/5-H 250~1400℃ 5.14μm サーモパイル 10ms φ1.3/100mm 0.6% + 2℃ < 1300℃
0.8% > 1300℃
300~1600℃
450~1500℃ φ1/100mm
500~2500℃
35 IN140/5-L 250~1400℃ 5.14μm サーモパイル 40ms φ1.3/159mm 0.6% + 2℃ < 1300℃
0.8% > 1300℃
300~1600℃
450~1500℃ φ0.9/159mm
500~2500℃
8 極薄板専用
IN6/78-L
400~1100℃ 7.8μm サーモパイル 80ms φ5/370mm 0.7% 又は 3℃
8 極薄板専用
IN6/78-H
150~800℃ 7.8μm サーモパイル 35ms φ7/350㎜ 0.7% 又は 3℃
アルミ温度測定
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
10 IS12-AL 350~900℃ 近赤外狭波長 Si 8ms φ2.2/112mm 0.3% + 1℃
10 IS12-AL 400~1050℃ 近赤外狭波長 Si 8ms φ2.2/112mm 0.3% + 1℃
39 IS50-AL-LO 400~1000 近赤外狭波長 Si 1ms φ1.1/88mm 0.3% + 1℃ < 1500℃
0.5% + 1℃ > 1500℃
フィルム温度
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
20 IPE140/34 50~400℃ 3.43μm PbSe 1.5ms φ3.3/110mm 2.5℃ < 400℃
0.4%+1℃ > 400℃
20 IPE140/34 75~500℃ 3.43μm PbSe 1.5ms φ2.1/110mm 2.5℃ < 400℃
0.4%+1℃ > 400℃
シリコンウェハー測定
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
11 IS12-Si 350~1000℃ 0.9μm Si 10ms φ2.2/120mm 0.4% + 1℃
11 IS12-Si 400~900℃ 0.9μm Si 10ms φ1.2/80mm 0.4% + 1℃
11 IS12-Si 400~1300℃ 0.9μm Si 10ms φ2.3/275mm 0.4% + 1℃
11 IS12-Si 500~1800℃ 0.9μm Si 10ms φ0.7/80mm 0.4% + 1℃
38 IS50-Si-LO 400~1300 0.9μm Si 1ms φ0.8/110mm 0.3% + 1℃ < 1500℃
0.5% + 1℃ > 1500℃
500~1600
半導体製造装置向けPhotriX
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
42 レンズ型(LE)
ワイドレンジ、低温
65~1000℃ 0.7~1.65μm Si+InGaAs 1ms φ1.5/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
135~2400℃ 0.7~1.65μm Si+InGaAs 1ms φ0.5/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
42 レンズ型(LE)
シリコンウェーハ専用
270~2150℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ1.5/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
300~2600℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ0.7/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
42 レンズ型(LE)
金属表面型
125~2600℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ0.7/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
180~2600℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ0.5/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
42 ライトパイプ型(LP)
ワイドレンジ、低温
30~670℃ 0.7~1.65μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15% 又は 0.15℃
42 ライトパイプ型(LP)
シリコンウェーハ専用
220~1300℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15% 又は 0.15℃
42 ライトパイプ型(LP)
金属表面型
70~1100℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15% 又は 0.15℃
42 レンズ+ファイバー延長型(LE-LO)
ワイドレンジ、低温
65~1000℃ 0.7~1.65μm Si+InGaAs 1ms φ0.8/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
80~1300℃ 0.7~1.65μm Si+InGaAs 1ms φ1.3/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
115~2600℃ 0.7~1.65μm Si+InGaAs 1ms φ1.5/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
42 レンズ+ファイバー延長型(LE-LO)
シリコンウェーハ専用
270~2150℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ0.4/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
290~2500℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ0.9/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
335~2600℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ1.5/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
42 レンズ+ファイバー延長型(LE-LO)
金属表面型
125~2600℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ0.4/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
145~2600℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ0.9/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
160~2600℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ1.5/50㎜ 0.15% 又は 0.15℃
42 ライトパイプ+ファイバー延長型(LP-LO)
ワイドレンジ、低温
60~900℃ 0.7~1.65μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15% 又は 0.15℃
65~950℃ 0.7~1.65μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15% 又は 0.15℃
100~1400℃ 0.7~1.65μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15% 又は 0.15℃
42 ライトパイプ+ファイバー延長型(LP-LO)
シリコンウェーハ専用
240~1600℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15% 又は 0.15℃
255~1900℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15% 又は 0.15℃
290~2600℃ 0.9μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15% 又は 0.15℃
42 ライトパイプ+ファイバー延長型(LP-LO)
金属表面型
100~1800℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15% 又は 0.15℃
115~2400℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15% 又は 0.15℃
155~2600℃ 1.55μm Si+InGaAs 1ms φ2 0.15% 又は 0.15℃
ランプ加熱制御
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
20 IPE140/34 100~1500℃ 3.43μm PbSe 1.5ms φ2.1/110㎜ 0.40%
6 IN5/5+ 100~1300℃ 5.14μm サーモパイル 80ms φ2.5/100mm 06% 又は 2℃ < 1300℃
0.8% = 1300℃~1800℃
1% > 1800℃
400~2500℃
6 IN5/5-H+ 200~1300℃ 5.14μm サーモパイル 10ms φ2.5/100mm
400~2500℃
6 IN5/5-L+ 200~1300℃ 5.14μm サーモパイル 80ms φ1.1/105mm 08% 又は 3℃ < 1300℃
0.8% = 1300℃~1800℃
1.2% > 1800℃
400~2500℃
35 IN140/5 250~1400℃ 5.14μm サーモパイル 40ms φ1.3/100mm 0.6%+2℃ < 1300℃
0.8% > 1300℃
35 IN140/5-H 300~1600℃ 5.14μm サーモパイル 10ms
35 IN140/5-L 450~1500℃ 5.14μm サーモパイル 40ms φ0.9/159mm
500~2500℃
サファイアガラス
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
7 IN5/9+ 0~1500℃ 8~9.7μm サーモパイル 180ms φ1.7/95㎜ 0.60%
GaN膜
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 応答時間 最小測定径 精度 形状
43 UV400 650~1300℃ 383~410nm PMT 8ms φ9.8/74㎜ <1000℃:3℃
>1000℃:0.3%
43 UVR400 650~1300℃ 383~410nm PMT 8ms φ9.8/74㎜ <1000℃:3℃
>1000℃:0.3%
窓越し熱画像
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 測定レート 測定画角(FOV) 精度 形状
101 MCS640/I1 600~1600℃ 0.85μm 非冷却2次元センサ 60Hz 3.5°x2.6°
5.4°x4.0°
10.8°x8.1°
22.5°x17.0°
33.3°x25.3°
0.5%
800~3000℃
101 MCS640/I5 600~1600℃ 0.78~1.08μm 60Hz 3.5°x2.6°
5.4°x4.0°
10.8°x8.1°
22.5°x17.0°
33.3°x25.3°
0.5%
800~3000℃
101 MCS640/M 1100~1600℃ 0.65μm 60Hz 8.4x8.4/113mm
0.5%
火炎越し熱画像
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 測定レート 測定画角(FOV) 精度 形状
102 MC320F 200~800℃ 3.9μm 非冷却平面アレイセンサ
マイクロボロメーター
60Hz 21.6°X16.3°
2%又は2℃
102 MC320FHT 400~1600℃ 3.9μm 60Hz 21.6°X16.3°
2%又は2℃
ガラス表面熱画像
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 測定レート 測定画角(FOV) 精度 形状
102 MC320G 200~800℃ 4.8-5.2μm 非冷却平面アレイセンサ
マイクロボロメーター
60Hz 21.6°X16.3°
2%又は2℃
102 MC320GHT 400~1600℃ 4.8-5.2μm 60Hz 21.6°X16.3°
2%又は2℃
金属・セラミックス熱画像
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 測定レート 測定画角(FOV) 精度 形状
102 MC320M 150~500℃ 3-5μm 非冷却平面アレイセンサ
マイクロボロメーター
60Hz 21.6°X16.3°
2%又は2℃
102 MC320M 200~800℃ 3-5μm 60Hz 21.6°X16.3°
2%又は2℃
102 MC320MHT 400~1600℃ 3-5μm 60Hz 21.6°X16.3°
2%又は2℃
一般熱画像
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 測定レート 測定画角(FOV) 精度 形状
106 MCL640L -40~120℃ 8-14μm 非冷却平面アレイセンサ
マイクロボロメーター
50Hz 57.3°x43°
24.5°x18.4°
12.5°x9.4°
2%又は2℃
0~500℃
106 MCL640HT 200~1600℃ 8-14μm 50Hz 57.3°x43°
24.5°x18.4°
12.5°x9.4°
2%又は2℃
燃焼イメージングシステム
No. 型式 温度範囲 測定波長 素子 測定
レート
測定画角(FOV) 精度 形状
103 BoilerSpection 500~1600℃ 3.9μm 非冷却平面
アレイセンサ
マイクロボロメーター
60Hz 50°x38°
75°×56°
2%又は2℃
104 FurnaceSpection 600~1800℃ 0.85μm 非冷却2次元センサ 60Hz 50°x38° 0.5%
105 FEGT
炉出口ガス温度測定
400~2000℃ CO2燃焼ガス
吸収波長
PbSe 2ms 測定距離:
1~8m
0.6% < 1300℃
0.8% >1300℃

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